[发明专利]具有半导体器件的电子电路的异质结构

权利要求书

1.一种电子电路，具有半导体器件，所述半导体器件包含异质结构，并且所述异质结构包含一个层，所述层包含化合物半导体并且邻接于第二层，以便构成用于二维电子气的沟道，使得所述二维电子气不存在。

2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述异质结构是III-V族异质结构。

3.根据权利要求2所述的电子电路，其中，所述异质结构包含GaN。

4.根据权利要求2所述的电子电路，其中，所述异质结构由式Ga_xK_1-xN的三元化合物形成，所述三元化合物具有不同的三价元素K。

5.根据权利要求4所述的电子电路，其中，所述三元化合物的三价元素K是铝或铟。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电子电路，其中，所述第二层包含铝。

7.根据权利要求6所述的电子电路，其中，在所述第二层中，Ga的份额为94％而Al的份额为6％。

8.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述异质结构是II-VI族异质结构。

9.根据权利要求8所述的电子电路，其中，所述异质结构包含ZnO。

10.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第一层包含少于10¹⁷cm^-3的自由电子，所述自由电子有助于导电性。

11.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述第二层为用于载流子的势垒。

12.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述二维电子气能够借助电磁波照射来产生照射。

13.根据权利要求12所述的电子电路，其中，所述电磁波照射以小于400nm的波长实现。

14.根据权利要求1所述的电子电路，其中，在所构成的沟道与所述第二层的背离所述沟道的界面之间的电势为正的情况下，形成所述二维电子气。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的电子电路，其中，电势为1V或更大。

16.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述化合物半导体的所述层的纯度使得二维电子气不存在。

17.根据权利要求2所述的电子电路，其中，第一层包含小于1×10¹⁷cm^-3的氧原子。

18.根据权利要求1所述的电子电路，其中，第一层包含小于1×10¹⁷cm^-3的外来原子。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的电子电路，其中，第一层的厚度为100nm或更厚。

20.根据权利要求1至18中任一项所述的电子电路，其中，第一层具有小于10⁷cm^-2的位错密度。

21.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述半导体器件构成为晶体管。

22.根据权利要求21所述的晶体管，其中，两个触点和一个绝缘层邻接于所述异质结构的第二半导体层，使得所述绝缘层部分地在所述两个触点之一上延伸。

23.根据权利要求22所述的晶体管，其中，另一触点邻接于所述绝缘层，所述另一触点以通过所述绝缘层隔开的方式部分地在所述两个触点之一上延伸。