[发明专利]一种带温度补偿的电流偏置电路有效
申请号: | 201910627056.2 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110275563B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 谭在超;张胜;罗寅;丁国华 | 申请(专利权)人: | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 叶倩 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 补偿 电流 偏置 电路 | ||
1.一种带温度补偿的电流偏置电路,其特征在于:包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路,温度补偿电路包括第四至第五MOS管、第三至第六三极管、第二至第五电阻,第一至第三MOS管的源极均连接电源VCC,第一至第三MOS管的栅极共联,第一MOS管的栅极连接其漏极,第一MOS管的漏极连接第一三极管的集电极,第一三极管和第二三极管的基极共联,所述第一三极管和第二三极管的个数比为1:n,且n个第二三极管并联连接,第一三极管的发射极串联第一电阻后接地,第二MOS管的漏极连接第二三极管的集电极,第二三极管的集电极连接第二三极管的基极,第二三极管的发射极连接第三三极管的发射极,第三三极管的集电极接地,第三MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极,第四至第五MOS管的栅极共联,第四MOS管的漏极连接第四MOS管的栅极,第四至第五MOS管的源极接地,第五MOS管的漏极连接第三三极管的基极,第五和第六三极管的集电极连接电源VCC,第二电阻和第三电阻串联后第二电阻的一端接电源VCC,第三电阻的一端连接第四三极管的集电极,第四电阻和第五电阻串联后第四电阻的一端接第五三极管的发射极,第五电阻的一端接第四三极管的集电极,第四三极管的基极连接其集电极,第四三极管的发射极接地,第五三极管的基极连接在第二电阻和第三电阻之间,第六三极管的基极连接在第四电阻和第五电阻之间,第六三极管的发射极连接第五MOS管的漏极;所述第二至第五电阻为同一种类型的电阻,且第二至第五电阻的宽度和长度数值相同。
2.如权利要求1所述的一种带温度补偿的电流偏置电路,其特征在于,所述第一至第三MOS管均采用PMOS管,所述第四至第五MOS管均采用NMOS管,所述第一、第二、第四至第六三极管均采用NPN型三极管,所述第三三极管采用PNP型三极管。
3.如权利要求1-2任一项所述的一种带温度补偿的电流偏置电路,其特征在于,所述第二电阻的阻值为第三电阻阻值的5-10倍,所述第四电阻和第五电阻的阻值保持一致。
4.如权利要求3所述的一种带温度补偿的电流偏置电路,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管的宽长比相等。
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