[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有衬垫层；

在所述衬垫层的表面形成若干相互分立的第一掩膜结构；

以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层和所述衬垫层，在所述待刻蚀层内形成凹槽，并使所述第一掩膜结构形成第一初始待去除层；

对所述第一初始待去除层进行改性处理工艺，形成第一待去除层；

刻蚀去除所述衬垫层和所述第一待去除层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第一待去除层的刻蚀工艺对所述第一待去除层的材料具有第一刻蚀速率，所述去除第一待去除层的刻蚀工艺对所述第一初始待去除层的材料具有第二刻蚀速率，且所述第一刻蚀速率大于所述第二刻蚀速率。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜结构包括位于所述衬垫层表面的第一掩膜层和位于所述衬垫层表面的第二掩膜层，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述待刻蚀层和所述衬垫层的同时，刻蚀所述第一掩膜结构直至暴露出所述第二掩膜层底部的所述衬垫层表面，在所述衬垫层表面形成第一初始待去除层；所述第一掩膜结构的形成方法包括：在所述衬垫层表面形成若干相互分立的第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面和所述若干第一牺牲层间暴露的衬垫层表面形成第一掩膜结构材料层；在所述衬垫层表面形成的第一掩膜结构材料层上形成第一保护层；在形成所述第一保护层后，刻蚀所述第一掩膜结构材料层，形成所述第一掩膜结构；在形成所述第一掩膜结构后，去除所述第一保护层和所述第一牺牲层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第一保护层的方法包括：在所述衬垫层表面形成的第一掩膜结构材料层上形成第一保护材料层；刻蚀所述第一保护材料层，形成所述第一保护层。

6.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜结构还包括：所述第二掩膜层以及分别位于所述第二掩膜层两侧的2个所述第一掩膜层，且所述第二掩膜层连接所述2个第一掩膜层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一待去除层之后，且在去除所述衬垫层和所述第一待去除层之前，在所述待刻蚀层暴露的表面上形成第二保护层，所述第二保护层表面高于或齐平于所述待刻蚀层与所述衬垫层的接触面。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内形成所述第二保护层的方法包括：采用旋涂工艺在所述凹槽内、所述衬垫层暴露的表面和所述第一待去除层表面形成初始第二保护层，回刻蚀所述初始第二保护层，直至所述初始第二保护层的表面高于或齐平于所述待刻蚀层表面，形成所述第二保护层；在去除所述衬垫层和所述第一待去除层后，去除所述第二保护层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括：第一待刻蚀层和第二待刻蚀层，所述第二待刻蚀层表面具有衬垫层，所述第一待刻蚀层表面具有所述第二待刻蚀层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的方法还包括：在刻蚀所述待刻蚀层和所述衬垫层时，刻蚀所述待刻蚀层的所述第二待刻蚀层，直至暴露出所述第一待刻蚀层表面；所述半导体结构的形成方法还包括：在去除所述衬垫层和所述第一待去除层后，以所述第二待刻蚀层为掩膜，刻蚀所述第一待刻蚀层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待去除层的材料中具有氮氢键或氢氧键或氦氮键中的一种或多种。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜结构的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的一种。