[发明专利]半导体器件

说明书

提供了半导体器件。半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可以分别沿第一方向对齐并且可以分别通过在第二方向上延伸的第一沟槽分离。第一沟槽可以限定第一有源图案的第一侧壁。半导体器件还可以包括：沟道图案，包括堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；虚设栅电极，位于沟道图案上并且在第二方向上延伸；以及栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻。栅极间隔件可以覆盖第一有源图案的第一侧壁。

本申请要求于2018年7月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0087911号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。半导体器件可以包括存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体器件。随着电子工业的先进发展，为了高度集成，已经研究了半导体器件及其相关技术。此外，为了高可靠性、高速度和/或多功能，已经研究了半导体器件和相关技术。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有增加的集成度和可靠性的半导体器件。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可以分别沿第一方向对齐并且可以分别通过在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一沟槽分离。第一沟槽可以限定第一有源图案的第一侧壁。半导体器件还可以包括：沟道图案，包括顺序堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；虚设栅电极，跨过沟道图案并且在第二方向上延伸；以及栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻。栅极间隔件可以覆盖第一有源图案的第一侧壁。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体器件可以包括位于基底上的第一逻辑单元和第二逻辑单元，第一逻辑单元包括第一有源图案，第二逻辑单元包括第二有源图案。第一逻辑单元和第二逻辑单元可以通过沟槽分离。半导体器件还可以包括分别位于第一有源图案和第二有源图案上的第一沟道图案和第二沟道图案。第一沟道图案和第二沟道图案中的每个可以包括多个半导体图案。半导体器件还可以包括与沟槽相邻的虚设栅电极以及位于虚设栅电极的一侧上的栅极间隔件。第一有源图案可以包括由沟槽限定的第一侧壁，第二有源图案可以包括由沟槽限定的第二侧壁，栅极间隔件可以覆盖第一侧壁和第二侧壁中的至少一个。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可以分别沿第一方向对齐并且可以分别通过在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一沟槽分离。半导体器件还可以包括：沟道图案，包括顺序堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案。第一有源图案可以包括由第一沟槽限定的第一侧壁，沟道图案可以包括由第一沟槽限定的第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁可以彼此竖直对齐。第一半导体图案在第一方向上的长度可以与第二半导体图案在第一方向上的长度不同。

附图说明

图1示出了根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的平面图。

图2A、图2B、图2C和图2D示出了分别沿图1的线A-A'、线B-B'、线C-C'和线D-D'截取的剖视图。

图3、图5、图7、图9和图11示出了根据本发明构思的一些示例实施例的制造半导体器件的方法的平面图。