[发明专利]半导体发光装置

说明书

半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。

相关申请的交叉引用

2018年10月8日向韩国知识产权局(KIPO)提交的题为“半导体发光装置”、申请号为10-2018-0119653的韩国专利申请通过引用被整体并入本文。

技术领域

示例实施例涉及半导体发光装置。

背景技术

在半导体发光装置中，包括氮化铟镓的有源层的部分可以具有不同的铟浓度，并且可以根据通过有源层的电流量在各个部分中产生不同波长的光。因此，需要一种制造发光装置的方法，该发光装置可以有效地产生具有所需波长的光。

发明内容

根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置可以包括：第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在所述第一半导体层上；第二半导体层，其在所述有源层上并具有第二导电类型；以及第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型。所述第二半导体层掺杂有镁(Mg)，并且具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧表面。所述第三半导体层可以掺杂有不同于所述第二半导体层的镁(Mg)浓度的镁浓度，并且所述第三半导体层可以具有基本平行于所述衬底的所述上表面的上表面，以及相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧表面。

根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置可以包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在所述第一半导体层上；第二半导体层，其在所述有源层上并具有第二导电类型；以及第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型。所述第二半导体层包括：侧部部分，其具有第一电阻，以及上部部分，其具有低于所述第一电阻的第二电阻，并且所述第三半导体层包括：侧部部分，其具有低于所述第二电阻的第三电阻，以及上部部分，其具有低于所述第三电阻的第四电阻。

根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置可以包括在衬底上的第一半导体发光单元以及在所述衬底上并与所述第一半导体发光单元间隔开的第二半导体发光单元。所述第一半导体发光单元可以包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第一有源层，其在所述第一半导体层上；第二半导体层，其在所述第一有源层上并具有第二导电类型，所述第二半导体层可以掺杂有镁(Mg)，并且可以具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第三半导体层可以掺杂有不同于所述第二半导体层的镁(Mg)浓度的镁浓度，并且所述第三半导体层可以具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面。所述第二半导体发光单元可以包括：第四半导体层，其具有所述第一导电类型；第二有源层，其在所述第四半导体层上；第五半导体层，其在所述第二有源层上并具有所述第二导电类型，所述第五半导体层可以掺杂有镁(Mg)，并且可以具有基本平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第六半导体层，其在所述第五半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第六半导体层可以掺杂有不同于第五半导体层的镁(Mg)浓度的镁浓度，并且所述第六半导体层可以具有与所述衬底的上表面基本平行的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面。在平面图中，所述第一半导体发光单元中的所述第一有源层的面积可以小于所述第二半导体发光单元中的所述第二有源层的面积，并且所述第一半导体发光单元可以产生波长比所述第二半导体发光单元产生的光的波长更长的光。

附图说明