[发明专利]纳米晶钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供主相合金粉体，所述主相合金粉体按原子百分比组成为R_xFe_(100-x-y-z)M_yB_z，其中，R为Nd、Ce、Pr中一种或几种，M为Co、Ga、Cu、Al中的一种或几种，12≤x≤15，0.1≤y≤8，4≤z≤8；

提供晶界相合金粉体，所述晶界相合金粉体按原子百分比组成为Nd_aFe_(100-a-b-c)Ga_bCu_c，其中，55≤a≤65，15≤b≤25，0≤c≤10；

将所述主相合金粉体与所述晶界相合金粉体混合均匀，得到混合粉体；

对所述混合粉体进行热压烧结，得到热压块体；

将所述热压块体进行热变形处理，使其中晶粒发生取向，得到所述纳米晶钕铁硼磁体，其中，所述纳米晶钕铁硼磁体中的晶粒尺寸为150nm-250nm。

2.根据权利要求1所述的纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述晶界相合金粉体在所述混合粉体的含量为6～12wt％。

3.根据权利要求1所述的纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述主相合金粉体的晶粒尺寸为10-100nm。

4.根据权利要求3所述的纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述主相合金粉体通过如下步骤制备：

按照所述主相合金粉体中各元素的比例配料；

将配料混合并在真空下进行熔炼，得到第一母合金；

将所述第一母合金在保护气氛下速凝制成第一合金片；

将所述第一合金片通过氢爆法进行破碎并通过气流磨进行粉碎，得到所述主相合金粉体。

5.根据权利要求1所述的纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述晶界相合金粉体的颗粒尺寸在150-250μm左右。

6.根据权利要求5所述的纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述晶界相粉体通过如下步骤制备：

按照所述晶界相合金粉体中各元素的比例配料；

将配料混合并在真空下进行熔炼，得到第二母合金；

将所述第二母合金在保护气氛下速凝制成第二合金片；

将所述第二合金片通过氢破以及气流磨进行粉碎，得到所述晶界相合金粉体。

7.根据权利要求1所述的纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述热压烧结在真空下进行，其真空度为1×10^-2Pa以下，且热压烧结温度为550-650℃，压力为200-400MPa，时间为20min-1h。

8.根据权利要求1所述的纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述热变形处理在真空下进行，其真空度为1×10^-2Pa以下，温度为650-700℃，变形量在70～75％，变形速率为0.2-0.4mm/min。

9.一种纳米晶钕铁硼磁体，其特征在于，所述纳米晶钕铁硼磁体中包括主相和晶界相，

所述主相按原子百分比组成为R_xFe_(100-x-y-z)M_yB_z，其中，R为Nd、Ce、Pr中一种或几种，M为Co、Ga、Cu、Al中的一种或几种，12≤x≤15，0.1≤y≤8，4≤z≤8；

所述晶界相按原子百分比组成为Nd_aFe_(100-a-b-c)Ga_bCu_c，其中，55≤a≤65，15≤b≤25，0≤c≤10，

所述纳米晶钕铁硼磁体中的晶粒尺寸为150nm-250nm。

10.根据权利要求9所述的纳米晶钕铁硼磁体，其特征在于，所述纳米晶钕铁硼磁体的矫顽力温度系数的绝对值为0.38-0.42％/℃，且在180℃下的矫顽力为0.60-0.80T，在180℃下的最大磁能积为180-200kJ/m³。