[发明专利]微机电系统装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：

在第一压电层之上沉积第一电极层；

在所述第一电极层之上沉积硬掩模层；

在所述硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模；

在所述光刻胶掩模就位的情况下，对所述硬掩模层进行第一刻蚀，以将所述第一电极图案转移到所述硬掩模层；

移除所述光刻胶掩模；

在所述硬掩模层就位的情况下，对所述第一电极层进行第二刻蚀，以将所述第一电极图案转移到所述第一电极层；以及

移除所述硬掩模层。

2.根据权利要求1所述的形成微机电系统装置的方法，其特征在于，所述移除所述光刻胶掩模包括氧化所述第一电极层的未被所述硬掩模层覆盖的部分。

3.根据权利要求1所述的形成微机电系统装置的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一电极层上形成第二压电层；

在所述第二压电层上形成第二电极层；

在所述第二电极层上形成第三压电层；

形成第一接触通孔，所述第一接触通孔延伸穿过所述第二压电层及所述第三压电层且延伸到所述第一电极层；以及

形成第二接触通孔，所述第二接触通孔延伸穿过所述第三压电层且延伸到所述第二电极层。

4.根据权利要求1所述的形成微机电系统装置的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一电极层上沉积第二压电层；

在所述第二压电层上沉积第二电极层；

进行穿过所述第二电极层及所述第二压电层的刻蚀，以形成开口，所述开口暴露出所述第一电极层及所述第二电极层的侧壁；

沉积介电衬里层，所述介电衬里层覆盖所述第一电极层及所述第二电极层并衬于所述开口；

对所述介电衬里层进行回蚀，以暴露出所述第一电极层；以及

在所述开口中形成导电接触件，其中所述导电接触件电耦合到所述第一电极层，且通过所述介电衬里层与所述第二电极层的所述侧壁电隔离。

5.根据权利要求1所述的形成微机电系统装置的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一电极层上沉积第二压电层；

在所述第二压电层上沉积第二电极层；

对所述第二电极层进行图案化，以形成感测电极区段及虚设电极区段，其中所述感测电极区段与所述虚设电极区段电隔离；

进行穿过所述虚设电极区段及所述第二压电层的刻蚀，以形成开口，所述开口暴露出所述第一电极层及所述虚设电极区段的侧壁；以及

在所述开口中形成导电接触件，其中所述导电接触件电耦合到所述第一电极层及所述虚设电极区段。

6.一种形成压电微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：

在衬底的前侧之上沉积第一压电层；

在所述第一压电层之上沉积第一电极层；

在所述第一电极层之上沉积第一介电层；

使用第一光刻胶掩模对所述第一介电层进行图案化且在所述第一介电层中形成开口，所述开口暴露出所述第一电极层的部分；

穿过所述第一介电层向所述第一电极层内进行第一刻蚀，以移除所述第一电极层的被所述开口暴露出的所述部分；以及

移除所述第一介电层。

7.根据权利要求6所述的形成压电微机电系统装置的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一电极层之上沉积第二压电层；

在所述第二压电层之上沉积第二电极层；以及

对所述第一压电层及所述第二压电层进行图案化，以形成延伸穿过所述第一压电层及所述第二压电层的第一空腔。