[发明专利]用于实现改善的铆接能力的高压模铸(HPDC)铝合金热处理

权利要求书

1.一种处理高压模铸(HPDC)材料以改善铆接能力的方法，所述方法包括：

在热处理步骤中将所述HPDC材料暴露于在300℃与450℃之间的温度下达在10分钟与5小时之间的时间段；

其中所述热处理导致所述HPDC材料的共晶硅球化，使得所述HPDC材料不会由于铆钉安装而破裂，

其中所述HPDC材料的组成包含：

其中Fe的重量％+Mn的重量％<0.95。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述HPDC材料暴露于约180℃的后续热处理步骤约30分钟的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述后续热处理步骤导致铝合金的屈服强度为至少约80MPa。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述共晶硅球化在所述HPDC材料的Al-Si共晶微结构组分中的任何Al-Si共晶微结构组分中包含少于平均约3.50×10^5个硅颗粒/mm^2。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理步骤的所述温度为450℃并且所述时间段在10-30分钟之间，以导致硅共晶的完全球化，

其中在HPDC材料的Al-Si共晶微结构组分中的任何Al-Si共晶微结构组分中存在少于约1.50×10^5个硅颗粒/mm^2。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理步骤的所述温度在300℃至450℃之间并且所述时间段在30分钟至2小时之间，以导致硅共晶的中等球化，

其中在HPDC材料的Al-Si共晶微结构组分中的任何Al-Si共晶微结构组分中存在在约3.50×10^5个硅颗粒/mm^2与约1.50×10^5个硅颗粒/mm^2之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理步骤的所述温度为300℃并且所述时间段在2至5小时之间，以导致硅共晶的部分球化，

其中在HPDC材料中存在少于约3.50×10^5个硅颗粒/mm^2。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述HPDC材料是铝合金。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述热处理之后对所述HPDC材料进行淬火的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理定位于所述HPDC材料的预定部分上。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述淬火是以6℃/s进行强制空气淬火达某一时段。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在所述热处理之后对所述铝HPDC材料进行淬火；以及

在淬火之后，将所述铝HPDC材料暴露于约180℃的后续热处理步骤约30分钟。

13.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述Mg在0.25重量％与0.35重量％之间；

所述Mn在0.45重量％与0.55重量％之间；并且

所述Si在9.5重量％与11.50重量％之间。

14.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述Mg在0.15重量％与0.25重量％之间；

所述Mn在0.45重量％与0.55重量％之间；并且

所述Si在7.00重量％与8.00重量％之间。

15.一种根据权利要求1所述的方法形成的零件。