[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910630460.5 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718590A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李峭蒑;金锡勋;李相吉;赵南奎;崔珉姬;李承勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 材料层 源极/漏极区 衬底 半导体器件 掺杂物扩散 鳍式有源区 方向延伸 上表面 阻挡层 凹陷 鳍式 平行 延伸 | ||
1.一种半导体器件，包括：
鳍式有源区，其在衬底上沿着与所述衬底的上表面平行的第一方向延伸；和
源极/漏极区，其在延伸到所述鳍式有源区内的凹陷区内，
其中，所述源极/漏极区包括：
第一源极/漏极材料层；
在所述第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层；和
在所述第一源极/漏极材料层和所述第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
栅极结构，其在所述鳍式有源区上沿着与所述衬底的上表面平行的第二方向延伸，
其中，所述源极/漏极区位于在所述栅极结构的一侧延伸到所述鳍式有源区内的所述凹陷区内；并且
其中，所述第一掺杂物扩散阻挡层沿着所述第一源极/漏极材料层和所述第二源极/漏极材料层之间的界面延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂物扩散阻挡层包括防止掺杂物扩散的元素，所述防止掺杂物扩散的元素包括：碳(C)、硼(B)、锗(Ge)、铟(In)、镓(Ga)、锑(Sb)、磷(P)、或砷(As)。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂物扩散阻挡层中的所述防止掺杂物扩散的元素的浓度是所述第一源极/漏极材料层中的相同掺杂物的浓度的至少两倍。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是PMOS器件，
其中，所述第一源极/漏极材料层和所述第二源极/漏极材料层包括SiGe。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极材料层的锗(Ge)浓度高于所述第二源极/漏极材料层的锗(Ge)浓度。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括，
第三源极/漏极材料层，其在所述第二源极/漏极材料层上，以及
第二掺杂物扩散阻挡层，其在所述第二源极/漏极材料层与所述第三源极/漏极材料层之间的界面上。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二掺杂物扩散阻挡层的防止掺杂物扩散的元素的浓度高于所述第一掺杂物扩散阻挡层的相同掺杂物的浓度。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极材料层的锗浓度等于所述第二源极/漏极材料层的锗浓度。
10.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是NMOS器件，并且
其中，所述第一源极/漏极材料层和所述第二源极/漏极材料层包括SiP。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极材料层的磷(P)浓度高于所述第二源极/漏极材料层的磷浓度。
12.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在所述第一掺杂物扩散阻挡层的原子探针断层摄影分析中，所述防止掺杂物扩散的元素在所述第一源极/漏极材料层和所述第二源极/漏极材料层之间的界面上的点处聚集。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述防止掺杂物扩散的元素聚集的点以非连续方式分布在所述第一掺杂物扩散阻挡层中。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述防止掺杂物扩散的元素聚集的点具有不规则的厚度并且在所述第一掺杂物扩散阻挡层中是连续的。
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