[发明专利]含Ni/MnO2

权利要求书

1.含Ni/MnO₂复合镀层的催化剂芯片的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

以镍为阳极，以铜基片为阴极，以含有2.5～2.7g/L纳米级MnO₂的瓦特镀液为电镀液，电镀得到含Ni/MnO₂复合镀层的催化剂芯片，电镀时间为10～20min，电镀液温度为34℃～40℃，电镀电流强度为800～1600μA。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的铜基片先在丙酮溶液中超声清洗40min以上，然后用砂纸打磨表面，洗净。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的纳米MnO₂粒径范围为50～1000nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的瓦特镀液包括以下组分：十六烷基三甲基溴化铵0.8g/L，六水合硫酸镍125g/L，六水合氯化镍42g/L，硼酸35g/L、十二烷基硫酸钠0.1g/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，电镀过程中，对电镀液进行搅拌，搅拌速度为400～800rpm。

6.根据权利要求1至5任一所述的制备方法制得的含Ni/MnO₂复合镀层的催化剂芯片。

7.根据权利要求6所述的含Ni/MnO₂复合镀层的催化剂芯片在微流控催化过氧化氢分解中的应用。