[发明专利]折叠空间电荷区肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910631160.9 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110504328A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 岳庆冬;王娅 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/167;H01L21/329 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘长春;闫家伟<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 上表面 绝缘层 二维电子气 金属电极 衬底 无线能量传输系统 能量转换效率 肖特基二极管 空间电荷区 绝缘材料 折叠 填充 微波 | ||
1.一种折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，包括：
衬底(001)；
绝缘层(002)，设置于所述衬底(001)的上表面；
第一外延层(003)，设置于所述绝缘层(002)的上表面；
第二外延层(006)，设置于所述第一外延层(003)的上表面，且与所述第一外延层(003)之间形成有二维电子气(007)；
第三外延层(008)，设置于所述第二外延层(006)的上表面；所述第三外延层(008)上设置有第一凹槽(010)；所述第一凹槽(010)内填充有绝缘材料；
第一金属电极(013)，设置于所述第三外延层(008)上，且设置于所述第一凹槽(010)的一侧；
第二金属电极(015)，设置于所述第三外延层(008)上，且设置于所述第一凹槽(010)的另一侧。
2.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一凹槽(010)底部至所述绝缘层(002)上表面之间的横截面积小于所述第一金属电极(013)与所述第三外延层(008)的接触面积。
3.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一凹槽(010)的厚度等于所述第三外延层(008)的厚度。
4.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一外延层(003)包括第一掺杂区域(0031)和第二掺杂区域(0032)；所述第一掺杂区域的掺杂浓度为1.8×1020cm-3～5.8×1020cm-3，所述第二掺杂区域的掺杂浓度为1.8×1017cm-3～8.8×1017cm-3。
5.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一外延层(003)的材料为GeSn，所述第二外延层(006)的材料为SiGeSn，所述第三外延层(008)的材料为GeSn。
6.根据权利要求5所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属电极(013)的材料为金属W；所述第二金属电极(015)的材料为金属Al。
7.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一外延层(003)的材料为GaN，所述第二外延层(006)的材料为AlGaN，所述第三外延层(008)的材料为GaN。
8.根据权利要求7所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属电极(013)的材料为金属Pt、Ti或Au；所述第二金属电极(015)的材料为金属Al。
9.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属电极(013)的下底面与所述第三外延层(008)的上表面相接触。
10.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述第三外延层(008)上设有第二凹槽(016)；所述第一金属电极(013)设置于所述第二凹槽(016)内；且所述第二凹槽(016)的深度为所述第一凹槽(010)深度的1/4～1/3。
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