[发明专利]光罩结构、阴极膜层的形成方法及阵列基板上的阴极膜层

权利要求书

1.一种光罩结构，用于在阵列基板上蒸镀阴极膜层，所述阵列基板上设置有多列像素定义层开口，其特征在于，所述光罩结构包括：

第一光罩本体，具有多个第一开孔，所述多个第一开孔是与所述多列像素定义层开口间隔对应设置的，所述各个第一开孔的侧边还间隔设置有多个向外凸起的第三开孔，当所述多个第一开孔与所述多列像素定义层开口对应设置时，所述多个第三开孔位于所述相邻二列像素定义层开口之间；以及

第二光罩本体，具有多个第二开孔，所述多个第二开孔是与所述多列像素定义层开口间隔对应设置的，并与所述多个第一开孔是对应于不同列像素定义层开口，所述各个第二开孔的侧边还间隔设置有多个向外凸起的第四开孔，当所述多个第二开孔与所述多列像素定义层开口对应设置时，所述多个第四开孔位于所述相邻二列像素定义层开口之间，并与所述第三开孔的位置相重叠。

2.根据权利要求1所述的光罩结构，其特征在于，所述第一光罩本体及所述第二光罩本体的形状与所述阵列基板的形状相对应。

3.根据权利要求1所述的光罩结构，其特征在于，所述多个第一开孔、所述多个第二开孔、所述多个第三开孔及所述多个第四开孔均为长方形孔。

4.根据权利要求1所述的光罩结构，其特征在于，所述各个第三开孔与所述各个第一开孔相对应所述列像素定义层开口中的相邻二个像素定义层开口之间的位置相对应；所述各个第四开孔与所述各个第二开孔相对应所述列像素定义层开口中的相邻二个像素定义层开口之间的位置相对应。

5.一种阴极膜层的形成方法，于阵列基板上形成阴极膜层，其特征在于，所述阴极膜层的形成方法包括以下步骤：

于阵列基板上形成第一阴极膜层，使所述第一阴极膜层覆盖于所述阵列基板上的间隔列像素定义层开口上；以及

于所述阵列基板上形成第二阴极膜层，使所述第二阴极膜层覆盖于所述阵列基板上的间隔列像素定义层开口上，并与所述第一阴极膜层覆盖于不同列像素定义层开口,及使相邻二列像素定义层开口之间，所述第一阴极膜层与所述第二阴极膜层形成间隔的重叠部。

6.根据权利要求5所述的阴极膜层的形成方法，其特征在于，所述形成第一阴极膜层的方法还包括以下步骤：

将第一光罩本体遮挡于所述阵列基板上，使多个第一开孔与所述多列像素定义层开口间隔对应，及所述多个第三开孔位于所述相邻二列像素定义层开口之间；以及

第一次蒸镀，于所述阵列基板上蒸镀所述第一阴极膜层。

7.根据权利要求6所述的阴极膜层的形成方法，其特征在于，所述形成第二阴极膜层的方法还包括以下步骤：

将第二光罩本体遮挡于所述阵列基板上，使多个第二开孔与所述多列像素定义层开口间隔对应，并与所述多个第一开孔对应于不同列像素定义层开口，多个第四开孔位于所述相邻二列像素定义层开口之间，并与所述第三开孔的位置相重叠；以及

第二次蒸镀，于所述阵列基板上蒸镀所述第二阴极膜层。

8.一种阵列基板上的阴极膜层，于阵列基板上形成的阴极膜层，其特征在于，所述阵列基板上的阴极膜层包括：

单层阴极膜层区，包括第一阴极膜层及第二阴极膜层，所述第一阴极膜层及所述第二阴极膜层设置于所述阵列基板上，并覆盖于不同列像素定义层开口上；

双层阴极膜层区，为所述第一阴极膜层与所述第二阴极膜层的多个重叠部，所述多个重叠部间隔设置于所述相邻列像素定义层开口之间；以及

无阴极膜层区，为所述第一阴极膜层及所述第二阴极膜层的多个未覆盖部，所述多个未覆盖部间隔设置于所述相邻列像素定义层开口之间，并与所述多个重叠部对应间隔设置。

9.根据权利要求8所述的阵列基板上的阴极膜层，其特征在于，所述各个重叠部对应设置于各列像素定义层开口中的相邻二个像素定义层开口之间，所述各个未覆盖部对应设置于各列像素定义层开口中的像素定义层开口的侧边。

10.根据权利要求8所述的阵列基板上的阴极膜层，其特征在于，所述第一阴极膜层为多个侧边具有多个第一凸起的长方形结构，所述多个第一长方形结构间隔覆盖于所述多列像素定义层开口上，所述第一凸起位于相邻列像素定义层开口之间，所述第二阴极膜层为多个侧边具有多个第二凸起的长方形结构，所述多个第二长方形结构间隔覆盖于所述多列像素定义层开口上，所述第二凸起位于相邻列像素定义层开口之间，并与所述第一凸起相重叠。