[发明专利]一种低温等离子体制备微介孔XAD-2的方法有效

专利信息
申请号: 201910631360.4 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN110339824B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 杨德正;徐庆南;王红丽;袁皓;乔俊杰;李瑶;周雄峰;梁建平 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B01J20/26 分类号: B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;B01D53/02
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 隋秀文;温福雪
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 等离子体 制备 微介孔 xad 方法
【权利要求书】:

1.一种低温等离子体制备微介孔XAD-2的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将原料XAD-2浸泡在有机溶液中,在超声波振荡器中振荡,去除XAD-2内部及表面杂质并使XAD-2恢复湿态,得到XAD-2样品;

2)将步骤1)处理后的XAD-2样品使用去离子水洗涤至呈中性,然后置于真空干燥箱中进行真空干燥,得到预处理的XAD-2;

3)将步骤2)预处理后的XAD-2置于填充床内,通过控制高压纳秒双极性窄脉冲等离子体触发电源的电压、放电频率、脉宽和上升沿时间进行放电驱动填充床产生低温等离子体对XAD-2进行改性,改性时间为2-25min,得到微介孔XAD-2;

所述的有机溶液为乙醇、丙酮或甲醇中的一种或两种以上混合;

所述的超声波振荡器的振荡频率20-40kHz,每次振荡时间20-30min,振荡次数为3-5次;

所述的真空干燥箱的温度控制在80-120℃,时间控制在12-24h;

所述的填充床,是将陶瓷片作为介质板覆盖在聚四氟乙烯材质的长方形槽体上形成;

所述的高压纳秒双极性窄脉冲等离子体触发电源的参数如下:脉宽为60-80ns、上升沿时间为10-20ns的,放电频率为120-200Hz,电压为20-30kV。

2.根据权利要求1所述的一种低温等离子体制备微介孔XAD-2的方法,其特征在于:

所述的超声振荡器的振荡频率为40kHz,每次振荡时间为20min,振荡次数为3次;

所述的真空干燥箱的温度为100℃,干燥时间为16h;

所述的高压纳秒双极性窄脉冲等离子体触发电源的电压为30kV,放电频率为120Hz,脉宽为80ns,上升时间为20ns。

3.权利要求1-2所述的一种低温等离子体制备微介孔XAD-2的方法制备得到的微介孔XAD-2,作为萘吸附材料,吸附溶液中的萘。

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