[发明专利]一种芯片波段变更粉比之间的换算方法

说明书

本发明公开了一种芯片波段变更粉比之间的换算方法，包括LED芯片各显指荧光粉方案，LED芯片各显指荧光粉方案包含有70RA方案、80RA方案、90RA方案，不同RA方案在封装时荧光粉搭配方案不同，波段处于450‑452.5‑455nm时，具体荧光粉搭配方案如下：70RA荧光粉的搭配方案有G粉+Y粉、Y粉+R粉；80RA荧光粉的搭配方案有G粉+R粉、Y粉+R粉、G粉+Y粉+R粉；90RA荧光粉的搭配方案有G粉+R粉、G粉+630R粉+650R粉、G粉+Y粉+R粉。本发明的芯片波段变更粉比之间的换算方法给出了不同显指情况下不同荧光粉配比的具体公式，使其他厂家可依据此来进行LED芯片的封装，具有很强的指导意义，能为社会带来贡献。

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，具体是一种芯片波段变更粉比之间的换算方法。

背景技术

发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。

目前使用LED照明时均采用贴片式LED，其在封装时，芯片波段会发生变更，为保持芯片原有参数不变，需要更改芯片中各荧光粉配比，但是，现在还没有一种较为全面的不同显指的荧光粉配比换算方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片波段变更粉比之间的换算方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种芯片波段变更粉比之间的换算方法，包括LED芯片各显指荧光粉方案，LED芯片各显指荧光粉方案包含有70RA方案、80RA方案、90RA方案，不同RA方案在封装时荧光粉搭配方案不同，波段处于450-452.5-455nm时，具体荧光粉搭配方案如下：

(1)70RA荧光粉搭配方案：

a：G粉+Y粉，波长变化(450-452.5nm转化为452.5-455nm)；公式转换为：G粉减少3-4％，Y粉增加4-5％；Y粉相对G粉对Y值影响小，比例兑换Y：G＝0.8：1，转化时Y粉用量要大于G粉用量，且须减少粉的整体浓度约1-3％即可，保持各项参数不变；

波长逆向变化时，即452.5-455nm转化为450-452.5nm，公式转换为：G粉增加3-4％，Y粉减少4-5％；转化时，Y粉用量要大于G粉用量，且须增加粉的整体浓度约1-3％即可，保持各项参数不变；

b：Y粉+R粉，波长变化(450-452.5nm转化为452.5-455nm)；公式转换为：Y粉减少1-5％，R粉增加1-3％；

波长逆向变化时，即452.5-455nm转化为450-452.5nm，公式转换为：Y粉增加1-5％，R粉减少1-3％；

(2)80RA荧光粉搭配方案：

a：G粉+R粉，波长变化(450-452.5nm转化为452.5-455nm)；公式转换为：G粉减少2-4％，R粉增加1-4％；

波长逆向变化时，即452.5-455nm转化为450-452.5nm，公式转换为：G粉增加2-4％，R粉减少1-4％；

b：Y粉+R粉，波长变化(450-452.5nm转化为452.5-455nm)；公式转换为：Y粉减少2-5％，R粉增加1-5％；

波长逆向变化时，即452.5-455nm转化为450-452.5nm，公式转换为：Y粉增加2-5％，R粉减少1-5％；