[发明专利]一种电子芯片80-120度用控氧型耐管道腐蚀液态金属及其工艺在审
| 申请号： | 201910632676.5 | 申请日： | 2019-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN110306090A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王金辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市启晟新材科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C22C1/02;C22C32/00;H01L23/373;H01L23/473 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招商街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液态金属 电子芯片 管道腐蚀 氧活度 致密 不锈钢管道 氧化物组成 重量百分比 高效散热 工艺过程 管道材料 合金组成 散热构件 使用寿命 氧化膜 有效地 封装 腐蚀 | ||
1.一种电子芯片80-120度用控氧型耐管道腐蚀液态金属及其工艺；按重量百分比计,其中合金组成为Ag:0.2-0.4wt.%,Ni:0.1-0.3wt.%,Sb:4.0-6.0wt.%,Zn:8.0-10.0wt.%,In:15.0-20.0wt.%,Bi:3.0-5.0wt.%,Pb:1.0-3.0wt.%,余量为镓；其中控制氧活度的氧化物组成为PbO:10.0-20.0wt.%,SnO2:4.0-8.0wt.%,TaO:1.0-2.0wt.%,MnO2:5.0-8.0wt.%,CoO:2.0-4.0wt.%,余量为Fe2O3。
2.权利要求1所述一种电子芯片80-120度用控氧型耐管道腐蚀液态金属及其工艺，其特征在于包括如下加工和使用步骤：（a）将合金按照所需的成分配置后，放入感应炉内进行熔炼，并采用石墨坩埚进行氩气保护下的熔炼；在200-300度保温10分钟利用电磁搅拌充分将合金熔体搅拌均匀后，待冷却后把熔化好的合金熔液表面的浮渣去除并倒入容器保存；（b）将氧化物按照配比采用球磨的方法混合均匀，其中各种氧化物的颗粒大小保持在10-20微米；然后在模具中施加200-250MPa左右的压力将这些混合均匀的粉末压成直径2-10mm，高度10-20mm的柱状物；(c)在制备散热管道时，氧化物的使用量要占液态金属重量比的4-6wt.%。
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