[发明专利]MEMS传感器元件和对应的传感器、芯片以及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS传感器元件(1b)，所述MEMS传感器元件具有可偏移地布置的膜片(4)，所述MEMS传感器元件包括

-衬底(2)；

-用于所述可偏移地布置的膜片(4)的载体结构(9)，其中，所述载体结构(9)与所述衬底(2)至少在一个区域(80')中连接，其中，所述膜片(4)部分地与所述载体结构(9)连接，其中，在所述载体结构(9)与所述膜片(4)之间形成封闭的空间(40)；和

-电极结构(6)，所述电极结构在所述封闭的空间(40)中与载体结构(9)和膜片(4)间隔开地布置。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，所述膜片(4)与所述载体结构(9)和所述衬底(2)间隔开地布置在所述载体结构与所述衬底之间。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，载体结构(9)和衬底(2)通过弹簧结构(15)彼此连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，所述膜片(4)连贯地构造，和/或，膜片(4)、载体结构(9)和电极结构(6)由相同的材料制造。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，所述电极结构(6)通过至少一个绝缘层区域(8)与所述载体结构(9)连接，其中，尤其，所述绝缘层区域(8)由电介质层形成。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，载体结构(9)和膜片(4)通过环绕的连接部彼此连接，其中，在所述载体结构(9)与所述衬底(2)之间的至少一个连接部的区域中布置有开口(64')。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，膜片(4)与衬底(2)之间的间距小于膜片直径(60)的1/5、优选小于膜片直径的1/10。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，布置有用于所述膜片(4)的至少一个过载止挡件(50)，所述过载止挡件优选地布置在所述载体结构(9)上。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的MEMS传感器元件(1b)，其中，布置有至少一个贯通接触部(12)，用于从所述衬底(2)的背离所述载体结构(9)的一侧电接触所述电极结构(6)。

10.一种MEMS传感器(1)，所述MEMS传感器具有第一MEMS传感器元件(1b)并且具有第二MEMS传感器元件(1a)，所述第一MEMS传感器元件是根据权利要求1至9中任一项所述的MEMS传感器元件，所述第二MEMS传感器元件构造为用于所述第一MEMS传感器元件(1b)的参考传感器元件。

11.根据权利要求10所述的MEMS传感器，其中，所述第二MEMS传感器元件(1a)具有膜片(4)和电极结构(6)，其中，所述第一MEMS传感器元件(1b)在该第一MEMS传感器元件的起始位置中在至少一个部分区域(73)中具有在所述第一MEMS传感器元件的膜片(4)与所述第一MEMS传感器元件的电极结构(6)之间的第一间距(71)，其中，所述第二MEMS传感器元件(1a)在所述第二MEMS传感器元件的起始位置中在至少一个部分区域(72)中具有在所述第二MEMS传感器元件的膜片(4)与所述第二MEMS传感器元件的电极结构(6)之间的第二间距(70)，其中，所述第一间距(71)和所述第二间距(70)是不同的。

12.根据权利要求10或11所述的MEMS传感器，其中，第二MEMS传感器元件(1a)是根据权利要求1至9中任一项所述构造的MEMS传感器元件，并且所述第二MEMS传感器元件(1a)的膜片(4)以偏移难度是所述第一MEMS传感器元件(1b)的偏移难度的至少两倍的方式可偏移。