[发明专利]一种PDMS微流控芯片模具复制方法

权利要求书

1.一种PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述PDMS微流控芯片模具复制方法包括以下步骤：

第一步，利用微流控芯片母模浇注复制PDMS阴模；

第二步，将PDMS阴模贴合于打孔的光滑平整基片上，使PDMS阴模任一微管道或微腔至少与基片上一个开孔相通，并进行真空脱气处理；

第三步，将胶水滴加于所有基片开孔处，使得胶水在真空脱气PDMS产生的负压作用下，充满整个PDMS阴模空间；

第四步，通过光辐射或加热的方式使填充的胶水固化；

第五步，剥离PDMS阴模，制得与原始母模结构完全一致的微流控芯片模具。

2.如权利要求1中所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述第一步中，微流控芯片母模为基于光刻胶的微结构或者基于硅基的微结构，基于光刻胶的微结构母模通过光刻工艺制得，基于硅基的微结构母模通过光刻工艺结合深离子刻蚀工艺制得。

3.如权利要求1中所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述第一步中，PDMS阴模厚度大于1毫米，真空脱气处理时间为1小时～24小时。

4.如权利要求1中所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述第二步中，光滑平整基片为抛光硅片、玻璃、石英、金属片、有机玻璃、陶瓷片中的一种。

5.如权利要求1中所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述第二步中，基片包含至少一个通孔，或者一个通孔及与其相连的微槽。

6.如权利要求5所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述通孔通过超声打孔、数控打孔、激光打孔中的一种方法制备，直径小于2毫米；所述微槽通过玻璃刀刻画或激光刻蚀制备，微槽宽度小于1毫米。

7.如权利要求1中所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述第二步中，PDMS阴模与基片贴合后，PDMS阴模上任一微管道或微腔体至少与一个通孔相通，或者PDMS阴模上任一微管道或微腔体通过基片上的微槽至少与一个通孔相通，且PDMS阴模任一微结构空间连通至通孔的最长长度小于3厘米。

8.如权利要求1中所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述第三步中，填充胶水为紫外胶、环氧胶、光刻胶中的一种，胶水的粘滞度小于1000厘帕·秒。

9.如权利要求1中所述的PDMS微流控芯片模具复制方法，其特征在于，所述第四步中，待PDMS阴模所有微结构空间充满胶水后，通过不同方式使胶水固化；若填充胶水为紫外胶，可通过光辐射方式实现固化；若填充胶水为环氧胶，可通过加热方式实现固化；若填充胶水为负性光刻胶，可通过光辐射结合加热方式实现固化。

10.一种由权利要求1～9任意一项所述PDMS微流控芯片模具复制方法得到的PDMS微流控芯片模具。