[发明专利]晶圆清洗装置、晶圆处理设备及晶圆清洗方法在审
申请号: | 201910634640.0 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN112233996A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B5/02 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 处理 设备 方法 | ||
该发明涉及一种晶圆清洗装置、晶圆处理设备及晶圆清洗方法,其中晶圆清洗装置包括:晶圆载台,用于放置晶圆;第一喷嘴,朝向所述晶圆载台设置,用于喷淋清洗液;第一驱动臂,连接至所述第一喷嘴,用于驱动所述第一喷嘴移动,以改变所述第一喷嘴的喷淋区域;至少一个第二喷嘴,朝向所述晶圆载台设置,用于喷淋清洗液;第二驱动臂,连接至所述第二喷嘴,用于驱动所述第二喷嘴移动至所述第一喷嘴移开的喷淋区域,以对所述第一喷嘴移开的喷淋区域进行补喷。本发明具有第二喷嘴,由所述第二喷嘴对第一喷嘴的喷淋区域进行补喷,以优化第一喷嘴对晶圆的喷淋、清洗效果,降低晶圆清洗过程中表面产生水痕的可能性,提高晶圆生产加工的良率。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种晶圆清洗装置、晶圆处理设备及晶圆清洗方法。
背景技术
在晶圆加工处理的过程中,为了保证晶圆表面的清洁,经常需要对晶圆进行清洗处理。
现有技术中,通常是采用液体喷嘴清洗晶圆。具体的,采用液体喷嘴朝向晶圆喷出去离子水或者其他特定的清洗液,以移除残留在晶圆表面的残留物,并借由晶圆的旋转将晶圆表面的残留物和清洗液甩离晶圆表面。
然而,现有技术中的方法,却总是不能完全将晶圆表面清洗干净。清洗完的晶圆表面通常也会留存水痕,影响晶圆后续的加工处理,从而影响最终的晶圆加工处理的良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆清洗装置、晶圆处理设备及晶圆清洗方法,能够防止在清洗晶圆的过程中在晶圆表面留存水痕,提高最终晶圆加工处理的良率。
为了解决上述技术问题,以下提供了一种晶圆清洗装置,包括:晶圆载台,用于放置晶圆;第一喷嘴,朝向所述晶圆载台设置,用于喷淋清洗液;第一驱动臂,连接至所述第一喷嘴,用于驱动所述第一喷嘴移动,以改变所述第一喷嘴的喷淋区域;至少一个第二喷嘴,朝向所述晶圆载台设置,用于喷淋清洗液;第二驱动臂,连接至所述第二喷嘴,用于驱动所述第二喷嘴移动至所述第一喷嘴移开的喷淋区域,以对所述第一喷嘴移开的喷淋区域进行补喷。
可选的,所述第一喷嘴包括:进液口,用于通入清洗液;进气口,用于通入清洁气体。
可选的,所述第一喷嘴为纳米喷雾喷嘴,所述第二喷嘴为单流体喷嘴。
可选的,还包括:第三喷嘴,朝向所述晶圆载台设置,用于喷淋化学溶液,所述第三喷嘴连接至所述第二驱动臂或所述第一驱动臂;连接所述第三喷嘴的第二驱动臂或所述第一驱动臂为可伸缩的驱动臂,用于驱动所述第三喷嘴移动至所述晶圆圆心的正上方。
可选的,所述晶圆载台水平放置,绕一过所述晶圆载台中心、且垂直于所述晶圆载台的晶圆放置面的竖直轴旋转,所述晶圆载台的转速为200rpm至1500rpm。
为了解决上述技术问题,以下还提供了一种晶圆处理设备,包括所述的晶圆清洗装置。
为了解决上述技术问题,以下还提供了一种晶圆清洗方法,包括以下步骤:放置待清洗的晶圆至晶圆载台;通过第一驱动臂驱动第一喷嘴移动至所述晶圆上方;通过所述第一喷嘴对所述晶圆喷淋清洗液,以清洗所述晶圆;通过所述第一驱动臂驱动所述第一喷嘴移动,以改变所述第一喷嘴的喷淋区域;通过第二驱动臂驱动第二喷嘴移动至所述第一喷嘴移开的喷淋区域;通过所述第二喷嘴对所述晶圆喷淋清洗液,以通过所述第二喷嘴对所述第一喷嘴移开的喷淋区域进行补喷。
可选的,所述方法还包括:驱动所述晶圆载台绕一过所述晶圆载台中心、且垂直于所述晶圆载台的晶圆放置面的竖直轴旋转,所述晶圆载台的转速为200rpm至1500rpm。
可选的,所述通过所述第二喷嘴对所述晶圆喷淋清洗液的液体流速为200ml/min至2500ml/min。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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