[发明专利]清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法

说明书

该发明涉及一种清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法，其中所述清洁装置，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。所述清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法具有所述气体腔和所述气孔，以及具有开关，只有在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开，因此保证了所述清洁装置在喷出清洁气体时有一定的清洁力度，从而保证了清洁效果。

技术领域

本发明涉及半导体生产领域，具体涉及一种清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法。

背景技术

在晶圆生产加工的过程中，晶圆载物台(Wafer stage)上经常会附着颗粒物杂质，影响晶圆生产加工的良率，且使用错误数据监测控制(FDC，Fault detection control)或统计过程控制(SPC，statistical process control)对晶圆的处理过程进行监控时，获取到监控数据也会增加晶圆损失或晶圆电性测试失败的风险，导致产品报废。

现有技术中，晶圆载物台通常指静电吸盘(E-chuck)。当静电吸盘表面有沾污颗粒时，会造成晶圆(wafer)良率下降。通常会使用试验片(dummy wafer)来去除所述静电吸盘表面的颗粒物杂质，然而当静电吸盘背面抽真空时，试验片被吸附在静电吸盘上，如果静电吸盘表面有颗粒物，颗粒会被静电吸盘压碎，损伤静电吸盘，同时也会损伤所述试验片，在所述试验片表面造成划痕。并且，使用试验片来去除所述静电吸盘表面的颗粒物杂质时，由于试验片与静电吸盘表面的颗粒物杂质有直接的接触，因此还需要对使用过的试验片进行清洁，以防止二次污染。

市面上也有一种用于吸附颗粒物杂质的晶圆，这种用于吸附颗粒物杂质的晶圆背面生长有绝缘介质层，表面带有电荷。当该用于吸附颗粒物杂质的晶圆被放在静电吸盘表面时，通过表面的电荷，就可吸附所述静电吸盘表面的颗粒，从而将所述静电吸盘表面的颗粒物杂质移除。但使用这种方式去除静电吸盘表面的颗粒物杂质时，由于所述静电吸盘表面设置有不同形状的凹槽，难以将凹槽内的颗粒物杂质也吸附干净，无法保证清洁力度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法，能够清除晶圆载物台表面的颗粒物杂质。

为了解决上述技术问题，以下提供了一种清洁装置，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。

可选的，所述气孔的数目至少为四个，均匀分布于所述清洁装置表面。

可选的，所述开关为延时开关，且每一气孔都设置有一延时开关。

可选的，还包括：标记点，设置于所述清洁装置的外表面，用于与晶圆表面设置的对准点对齐；所述气体腔设置有充气口，所述充气口为硅胶材质，外露于所述清洁装置的外表面，设置在非标记点处。

可选的，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。

可选的，所述清洁装置由高耐性合金材料制成，所述清洁装置表面设置有凹槽，用于在放置到晶圆载物台时供所述晶圆载物台的升降销插入，且所述凹槽的数量和位置与所述晶圆载物台的升降销的数量和位置一致。

为了解决上述技术问题，以下还提供了一种晶圆处理设备，包括：反应腔室，内部设置有晶圆载物台，用于放置晶圆；所述清洁装置，用于放置到所述反应腔室内，以清洁所述反应腔室内设置的晶圆载物台。

可选的，所述反应腔室内为真空环境，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。