[发明专利]制造MRAM单元的阵列的方法、写入该MRAM单元的方法

权利要求书

1.一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法，包括：

写入磁性随机存取存储器单元，包括：

确定用于所述磁性随机存取存储器单元的阵列的最佳写入电流；

将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一磁性随机存取存储器单元；

将第一读取电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元以响应于所述应用所述最佳写入电流，确定所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向是否已经改变；

当所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，其中，所述第二写入电流不同于所述最佳写入电流；以及

将第二读取电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，以响应于所述应用所述第二写入电流，确定所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向是否已经改变；

当所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向没有改变时，迭代地重复应用写入电流和读取电流，

其中，当所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向已经改变时，停止迭代应用所述写入电流和所述读取电流，

其中，在每次应用所述写入电流时的写入电流不同于任何其他写入电流，以及

其中，每次迭代应用的写入电流在大于所述最佳写入电流和小于所述最佳写入电流之间交替。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

当在应用所述第二写入电流之后没有改变所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向时，将第三写入电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，其中，所述第三写入电流不同于所述最佳写入电流和所述第二写入电流；以及

将第三读取电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，以响应于所述应用所述第三写入电流，确定所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向是否已经改变。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二写入电流大于所述最佳写入电流并且所述第三写入电流小于所述最佳写入电流。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二写入电流小于所述最佳写入电流并且所述第三写入电流大于所述最佳写入电流。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，

通过烧断熔丝或反熔丝，将在设定次数地应用写入电流之后没有改变磁取向的磁性随机存取存储器单元与相应区块的磁性随机存取存储器单元隔离。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，通过烧断熔丝或反熔丝，将包括大于设定数量的隔离的随机存取存储器单元的随机存取存储器单元的区块与阵列隔离。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，比所述最佳写入电流小的每个逐次写入电流小于比所述最佳写入电流小的先前写入电流，并且比所述最佳写入电流大的每个逐次写入电流大于比所述最佳写入电流大的先前写入电流。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述应用所述最佳写入电流之后所应用的写入电流，在比所述最佳写入电流小的写入电流和比所述最佳写入电流大的写入电流之间交替。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述最佳写入电流处于所有交替写入电流的值的中点。