[发明专利]形成自对准栅极及源/漏接触以及所得装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

主动层；

栅极结构，位于该主动层的沟道区上方；

侧间隙壁，位于邻近该栅极结构；

覆盖层，位于该栅极结构上方；

上间隙壁，接触该覆盖层的侧壁表面以及该栅极结构的上表面的一部分；

第二介电层，位于该上间隙壁及该覆盖层上方；以及

第一接触结构，至少部分嵌入该第二介电层中并接触该上间隙壁的表面。

2.如权利要求1所述的装置，还包括：

源/漏区，位于邻近该侧间隙壁的该主动层中；以及

下源/漏接触结构，接触该源/漏区，其中，该第一接触结构接触该上间隙壁的该外表面及该下源/漏接触结构。

3.如权利要求1所述的装置，其中，该第一接触结构接触该上间隙壁的内表面及该栅极结构。

4.如权利要求1所述的装置，其中，该侧间隙壁包括在其中界定的气隙。

5.一种方法，包括：

形成主动层；

在该主动层的沟道区上方形成栅极结构；

邻近该栅极结构形成侧间隙壁；

邻近该侧间隙壁形成第一介电层；

凹入该栅极结构以界定栅极空腔；

在该栅极空腔中形成内间隙壁；

在邻近该内间隙壁的该栅极空腔中形成覆盖层；

凹入该第一介电层及该侧间隙壁，以暴露该覆盖层的侧壁表面；

移除该内间隙壁，以界定邻近该覆盖层的第一间隙壁空腔；

在该间隙壁空腔中并接触该覆盖层的侧壁表面形成上间隙壁；

在该上间隙壁及该覆盖层上方形成第二介电层；以及

形成至少部分嵌入该第二介电层中并接触该上间隙壁的表面的第一接触结构。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：

在邻近该侧间隙壁的该主动层中形成源/漏区；

形成接触该源/漏区的下源/漏接触结构；

移除该第二介电层的第一部分，以暴露该下源/漏接触结构及该上间隙壁的外表面并界定第一接触空腔；以及

在该第一接触空腔中形成该第一接触结构，该第一接触结构接触该上间隙壁的该外表面及该下源/漏接触结构。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

移除该第二介电层的第二部分，以暴露该覆盖层；

移除该覆盖层以暴露该上间隙壁的内表面及该栅极结构，从而界定第二接触空腔；以及

在该第二接触空腔中形成第二接触结构，该第二接触结构接触该上间隙壁的该内表面及该栅极结构。

8.如权利要求5所述的方法，还包括：

移除该第二介电层的第一部分，以暴露该覆盖层；

移除该覆盖层以暴露该上间隙壁的内表面及该栅极结构，从而界定第一接触空腔；以及

在该第一接触空腔中形成该第一接触结构，该第一接触结构接触该上间隙壁的该内表面及该栅极结构。

9.如权利要求5所述的方法，还包括：

在移除该内间隙壁之前移除该侧间隙壁，以界定下间隙壁空腔；以及

在该下间隙壁空腔的至少上部中形成介电材料，从而在邻近该栅极结构的该下间隙壁空腔中界定气隙。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该介电材料加衬该下间隙壁空腔。

11.如权利要求9所述的方法，还包括：

在邻近该侧间隙壁的该鳍片中形成源/漏区；

形成接触该源/漏区的下源/漏接触结构；

移除该第二介电层的第一部分，以暴露该下源/漏接触结构及该上间隙壁的外表面并界定第一接触空腔；以及

在该第一接触空腔中形成该第一接触结构，该第一接触结构接触该上间隙壁的该外表面及该下源/漏接触结构。