[发明专利]一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法

权利要求书

1.一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，所述单晶硅片背面发射极连接有负电级，所述单晶硅片背面场连接有正电极。

2.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述N型单晶硅片基体的电阻率为1-10Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述单晶硅片前表面硼掺杂层的方阻为80-160Ω·cm，结深为0.1-0.5μm。

4.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层膜厚为1-10nm。

5.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述单晶硅片前表面SiNx减反射层膜厚为40-80nm，折射率为1.8-2.5。

6.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述单晶硅片背表面场磷掺杂层的方阻为80-160Ω·cm，结深为0.1-0.5μm。

7.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述单晶硅片背表面SiO2钝化层厚度为1-5nm。

8.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述单晶硅片背面发射极表面AL2O3钝化层膜厚为1-10nm。

9.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述单晶硅片背面场表面SiNx钝化层膜厚为40-80nm。

10.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述负电级宽度为300-1600μm。

11.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触太阳电池结构，其特征在于，所述正电极宽度为100-700μm。

12.一种叉指型背接触太阳电池的制造方法，其特征在于，

S1、选择N型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；

S2、对N型单晶硅片进行双面硼扩散；

S3、在N型单晶硅片双面沉积AL2O3薄膜；

S4、对N型单晶硅片背表面N型BSF区域进行开槽；

S5、对N型单晶硅片进行单面磷扩散形成N型单晶硅片背表面场；

S6、在N型单晶硅片正反面沉积氮化硅膜；

S7、对硅片进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极；

S8、进行烧结，最终得到IBC电池。

13.根据权利要求12所述的一种叉指型背接触太阳电池的制造方法，其特征在于，S1步骤中所述N型单晶硅片基体的厚度为140-180μm，电阻率为1-10Ω·cm。

14.根据权利要求12所述的一种叉指型背接触太阳电池的制造方法，其特征在于，S2步骤中使用低压高温扩散炉对所述N型单晶硅片进行双面硼扩散，扩散温度为800-1100℃，扩散时间为10-50分钟，扩散后P+掺杂层的方块电阻为80-160Ω·cm，结深为0.1-0.5μm。

15.根据权利要求12所述的一种叉指型背接触太阳电池的制造方法，其特征在于，S3步骤中使用ALD设备在所述N型单晶硅片双面沉积AL2O3薄膜，薄膜厚度为1-10nm。