[发明专利]一种基于像素电离室的束斑动态监测方法及系统有效
申请号: | 201910637008.1 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110398768B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 谭萍;雷浩;余业成;林银洁 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01T1/29 | 分类号: | G01T1/29 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 像素 电离室 动态 监测 方法 系统 | ||
1.一种基于像素电离室的束斑动态监测方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1、获取当前扫描层初始时刻像素电离室的每个像素块的电流积分值,以当前扫描层最大电流积分值Vmax为基准,设置数据门限值区间(w1*Vmax,w2*Vmax)和拟合数据点数N,其中w2*Vmax和w1*Vmax分别为门限值区间的上限和下限;
步骤S2、在数据门限值区间内线性调整数据门限值w*Vmax,以得到最接近N的拟合数据点数N0,如果N0≠N,判断w*Vmax是否处于门限值区间(w1*Vmax,w2*Vmax)的上下限,如果处于下限w1*Vmax则发出束斑尺寸过大预警,如果处于上限w2*Vmax则发出束斑尺寸过小预警,在门限值区间(w1*Vmax,w2*Vmax)内部则不做处理;
步骤S3、运行改进的高斯曲面拟合算法,得到束斑参数,判断束斑位置或者尺寸与预设值的差的绝对值是否超过容忍范围,如果超过容忍范围则发出束斑位置或者大小不正确预警;
步骤S4、对当前扫描层内所有扫描点进行层内束斑动态监测;
步骤S5、当接收到扫描层切换的命令时,重复步骤S1~S4。
2.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,所述改进的高斯曲面拟合算法考虑束流在输运过程中发生旋转形变,束斑形状为长短轴长度不同,并且均不与像素电离室直角坐标系重合的椭圆。
3.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,所述层内束斑动态监测包括:
步骤S41、获取当前扫描点每个像素块的电流积分值,判断电离室中心四个像素块是否为所有像素块的电流积分值降幂排列后的前四个值,如果不是,则发出束斑位置不正确预警;
步骤S42、计算当前扫描点每个像素块的电流积分值与初始扫描点每个像素块的电流积分值之间的方差S并设计方差门限值T,如果S>T则发出束流形状和分布不正确预警;
步骤S43:当接收到层内扫描点切换的命令时,重复步骤S41~S42。
4.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,所述束斑参数包括束斑中心点位置x0、y0,束斑尺寸σx、σy,束斑与像素电离室直角坐标系的夹角θ,其中θ∈(-π/2,π/2)。
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