[发明专利]具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极有效
| 申请号： | 201910637382.1 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110416055B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;田健;刁煜;陆菲菲;夏斯浩 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J40/06 | 分类号： | H01J40/06 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 马鲁晋 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 原子 超薄 发射 gan 反射 光电 阴极 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，其特征在于，包括衬底层、生长在衬底层上的p型AlGaN缓冲层、生长在p型AlGaN缓冲层上的原子级厚GaN超薄发射层以及位于原子级厚GaN超薄发射层上的Cs/O激活层，所述原子级厚GaN超薄发射层包括n层厚度相同的GaN单原子层，其中，1≤n≤10。
2.根据权利要求1所述的具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，其特征在于，所述衬底层为蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，其特征在于，所述p型AlGaN缓冲层采用均匀掺杂结构，掺杂元素为Mg，掺杂浓度为1×1019cm-3。
4.根据权利要求3所述的具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，其特征在于，所述p型AlGaN缓冲层厚度为100nm到200nm。
5.根据权利要求1所述的具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，其特征在于，GaN单原子层厚度为0.3nm，原子级厚GaN超薄发射层的总厚度为0.3nm到3nm。
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