[发明专利]相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种相位检测自动对焦像素元件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；

增透层，所述增透层位于所述半导体衬底上；

至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜直接位于所述增透层上，位置对应于所述至少两个像素区域；

滤色层，所述滤色层位于所述增透层上，并且直接覆盖所述至少两个掩埋透镜；

微透镜，位于所述滤色层上，横跨所述至少两个像素区域。

2.如权利要求1所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。

3.如权利要求2所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

4.如权利要求1所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的厚度为100纳米至900纳米。

5.如权利要求1所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述增透层材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。

6.如权利要求5所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述增透层材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种或者多种。

7.如权利要求6所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述增透层为一层以上所述透明介质材料形成的堆栈结构。

8.一种相位检测自动对焦像素元件的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；

在所述半导体衬底上形成增透层；

在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位置对应于所述至少两个像素区域；

在所述增透层以及所述至少两个掩埋透镜上形成滤色层，所述滤色层覆盖所述至少两个掩埋透镜；

在所述滤色层上形成微透镜，所述微透镜横跨所述至少两个像素区域。

9.如权利要求8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。

10.如权利要求9所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

11.如权利要求8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的厚度为100纳米至900纳米。

12.如权利要求8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述增透层材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。

13.如权利要求12所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述增透层材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆和氮化硅中的任意一种或者多种。

14.如权利要求13所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述增透层为一层以上所述透明介质材料形成的堆栈结构。

15.如权利要求8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜的方法包括：

在所述增透层上形成掩埋透镜材料层；

在所述掩埋透镜材料层上形成光刻胶层；

图案化所述光刻胶层，使所述光刻胶层的图案与所述至少两个掩埋透镜的图形一致；

回流所述图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩埋透镜材料层，形成所述掩埋透镜；

去除所述图案化的光刻胶层。