[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的存储器及制备方法

权利要求书

1.一种基于有机场效应晶体管的存储器，其特征在于：其结构包括栅极电极(1)、栅极氧化层(2)、自组装单分子层(3)、有机活性层(4)、Cu源极(5)和Cu漏极(6)；其中所述栅极电极(1)为重掺杂硅衬底或者表面蒸镀Al栅极的柔性衬底，所述栅极氧化层(2)为SiO₂，所述自组装单分子层(3)为十八烷基三氯硅烷，所述有机活性层(4)为N型有机半导体全氟酞菁铜。

2.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的存储器，其特征在于：所述柔性衬底为PET。

3.一种如权利要求1所述的基于有机场效应晶体管的存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：取重掺杂硅衬底或表面蒸镀有Al栅极的柔性衬底为栅极电极(1)，硅衬底上表面热氧化或将SiO₂溶胶旋涂到柔性衬底表面后退火处理，形成SiO₂，获得栅极氧化层(2)；

S2：将步骤S1得到的样品经清洗、干燥、紫外臭氧处理后放入十八烷基三氯硅烷溶液中静置，取出超声处理并烘干，表面形成自组装单分子层(3)；

S3：利用真空蒸镀法在步骤S2处理后的样品表面蒸镀一层全氟酞菁铜，形成有机活性层(4)；

S4：利用真空蒸镀法在有机活性层(4)上制备Cu源极(5)和Cu漏极(6)。

4.根据权利要求3所述的一种基于有机场效应晶体管的存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中十八烷基三氯硅烷溶液的配制是取十八烷基三氯硅烷液态溶质加入到甲苯溶剂中。

5.根据权利要求3所述的一种基于有机场效应晶体管的存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中有机活性层(4)的厚度为30nm以上。

6.根据权利要求3所述的一种基于有机场效应晶体管的存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中制备Cu源极(5)和Cu漏极(6)，采用荫罩板定义沟道宽长比，通过电流加热，蒸镀，形成厚度为100nm以上的Cu源极(5)和Cu漏极(6)。