[发明专利]低阻抗脉冲同轴射频电缆及其制备方法

权利要求书

1.一种低阻抗脉冲同轴射频电缆，其特征在于，包括铜管导体(1)、第一半导体层(2)、绝缘层(3)、第二半导体层(4)、绕包层(5)、编织层(6)和护套(7)；其中，所述第一半导体层(2)、所述第二半导体层(4)均为半导电低密度聚乙烯层，所述绝缘层(3)为交联聚乙烯层，所述绕包层(5)为铜箔绕包层，所述编织层(6)为铜线编织层。

2.根据权利要求1所述的低阻抗脉冲同轴射频电缆，其中，所述铜管导体(1)为直径4.0-4.5mm的铜管，壁厚为0.48-0.52mm,。

3.根据权利要求1所述的低阻抗脉冲同轴射频电缆，其中，所述绝缘层(3)的厚度为10.0-11.0mm。

4.根据权利要求1所述的低阻抗脉冲同轴射频电缆，其中，所述第二半导体层(4)的厚度为1.0-1.1mm。

5.根据权利要求1所述的低阻抗脉冲同轴射频电缆，其中，所述绕包层(5)的厚度为0.8-1.6mm。

6.根据权利要求1所述的低阻抗脉冲同轴射频电缆，其中，所述编织层(6)的厚度为0.8-1.0mm。

7.根据权利要求1所述的低阻抗脉冲同轴射频电缆，其中，所述护套(7)的厚度为2.2-2.5mm。

8.一种低阻抗脉冲同轴射频电缆的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：

1)将半导电低密度聚乙烯层挤出成型包覆于所述铜管导体(1)的外部形成第一半导体层(2)；

2)将交联聚乙烯层出成型包覆于所述第一半导体层(2)的外部形成绝缘层(3)；

3)将半导电低密度聚乙烯层挤出成型包覆于所述绝缘层(3)的外部形成第二半导体层(4)；

4)将铜箔绕包于所述第二半导体层(4)的外面形成绕包层(5)；

5)将铜线编织于所述绕包层(5)的外面形成编织层(6)；

6)将聚烯烃挤出成型包覆于所述编织层(6)的外部形成所述护套(7)。