[发明专利]半导体设备及其加热装置在审

申请号：	201910640237.9	申请日：	2019-07-16
公开（公告）号：	CN112242315A	公开（公告）日：	2021-01-19
发明（设计）人：	不公告发明人	申请（专利权）人：	长鑫存储技术有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京律智知识产权代理有限公司 11438	代理人：	龙威壮;孙宝海
地址：	230000 安徽省合肥市***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	半导体设备及其加热装置
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【说明书】：

本发明公开一种半导体设备及其加热装置。该加热装置包括：加热部；所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。加热装置对挡板进行加热可以延长挡板的清洗周期，降低了薄膜制备设备的维护成本，提高了薄膜制备设备的运行效率。

技术领域

本发明总体来说涉一种半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种半导体设备。

背景技术

在半导体制造过程中，化学气相沉积(CVD)作为薄膜制程已经被广泛使用。

化学气相沉积在半导体设备的反应腔室中进行。先将晶圆置于密闭的反应腔室中，再将反应气体输送至半导体设备内，反应气体与晶圆在高温环境下发生化学反应能在晶圆表面沉积一层薄膜。以氮化硅层的沉积为例，二氯硅烷(SiH₂Cl₂)、氨气(NH₃)等反应气体注入到反应腔室内后能与晶圆发生反应以在晶圆表面形成氮化硅层。

现有的半导体设备的反应腔室上设置有一开口，该开口用于供晶圆进出反应腔室。半导体设备在加工完一批晶圆后，需要向反应腔室内输入清洁气体以将反应腔室中的残余气体替换掉，避免在加工下一批晶圆时残余气体影响该批晶圆的质量。在此过程中，半导体设备上的隔热板封堵开口，以避免反应腔室内的温度下降。

由于隔热板封堵开口时，反应腔室内还具有残余反应气体，这些残余反应气体会在隔热板上生长出薄膜。同时，隔热板上也容易附着易挥发的反应产物，这些反应产物在加工下一批晶圆时容易混入至反应气体中造成污染。为保证反应腔室的洁净度，需要每隔一段时间将隔热板上的薄膜进行清除，两个人清理作业需要花4-6小时才能将隔热板上的薄膜清除干净。由于需要定期人工清理且清理时间较长，使得半导体设备的维护成本高，半导体设备的运行效率低。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种用于加热挡板的加热装置，其包括：加热部；

所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；

其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。

根据本发明的一个实施例，所述壳体的外轮廓为平板状，所述电热丝在所述壳体内蜿蜒延伸。

根据本发明的一个实施例，所述壳体的外轮廓为半圆形的平板状，所述壳体的圆心处设置有一缺口；

所述加热装置包括两个加热部，在安装状态下两个所述加热部拼接成圆形，两个所述缺口形成供所述挡板上的支撑柱通过的通孔。

根据本发明的一个实施例，所述加热部还包括设置在所述壳体内的多条热管，所述热管内填充有毛细结构以及工作流体；

所述热管从所述缺口附近径向向外延伸，相邻两条所述热管之间的夹角相等。

根据本发明的一个实施例，所述壳体与所述挡板相抵接的表面设置成波浪状，以增大所述壳体与所述挡板之间的接触面积。