[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；

第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开；

场绝缘膜，所述场绝缘膜位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间，所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的所述上表面和所述第二有源图案的所述上表面共面；以及

元件隔离结构，所述元件隔离结构位于隔离沟槽内，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中，其中，所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的所述上表面和所述第二有源图案的所述上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述元件隔离结构沿与所述第一方向交叉的第二方向纵长地延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场绝缘膜和所述元件隔离结构包括不同的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括隔离间隔物，所述隔离间隔物沿着所述元件隔离结构的侧壁延伸，并设置在所述第一有源图案上和所述场绝缘膜上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离沟槽包括位于所述场绝缘膜中的第一部分和位于所述第一有源图案中的第二部分，其中，所述隔离沟槽的所述第一部分的底表面的高度不同于所述隔离沟槽的所述第二部分的底表面的高度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括栅极结构，所述栅极结构在所述第一有源图案上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅极结构的上表面和所述元件隔离结构的上表面基本共面。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，所述半导体器件还包括源/漏区，所述源/漏区位于所述元件隔离结构与所述栅极结构之间的所述第一有源图案中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述元件隔离结构包括：

第一隔离区，所述第一隔离区填充所述第一有源图案和所述场绝缘膜中的第一隔离沟槽；以及

第二隔离区，所述第二隔离区填充所述第二有源图案和所述场绝缘膜中的第二隔离沟槽。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述元件隔离结构还包括连接隔离区，所述连接隔离区连接所述第一隔离区和所述第二隔离区，并且设置在所述场绝缘膜的所述上表面上。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；

第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开；

第三有源图案，所述第三有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一有源图案和所述第二有源图案间隔开；

第一场绝缘膜，所述第一场绝缘膜位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间，所述第一场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的所述上表面和所述第二有源图案的所述上表面共面；以及

元件隔离结构，所述元件隔离结构沿所述第二方向在所述第一有源图案与所述第一场绝缘膜之间纵长地延伸，并穿过所述第三有源图案。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第二场绝缘膜，所述第二场绝缘膜位于所述第一有源图案与所述第三有源图案之间，并且所述第二场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的所述上表面和所述第三有源图案的上表面。