[发明专利]应用于高铝电子玻璃生产的熔窑结构

说明书

本发明公开了一种应用于高铝电子玻璃生产的熔窑结构，包括熔化部，其前端设有投料壁，两侧均设有蓄热室，蓄热室与熔化部的侧壁之间通过小炉连通；熔化部的碹顶火焰区采用AZS电熔锆刚玉砖和α‑β刚玉砖，非火焰区胸墙采用α‑β刚玉砖和β刚玉砖，蓄热室的碹顶为电熔镁砂砖，熔化部池壁和底部均为高锆砖。本结构耐1650℃高温度，抗蠕变性能好，可熔制铝含量0~24%的高铝玻璃，满足低铁、高铝、超白、超薄（0.2‑2mm）电子玻璃的生产。

技术领域

本发明属于高铝玻璃生产技术领域，涉及高铝玻璃生产设备，具体为应用于高铝电子玻璃生产的熔窑结构。

背景技术

电子玻璃程逐步上涨趋势，由于高铝盖板玻璃生产具有资金投入大、技术难度高等特点，全球仅有美国康宁、日本旭硝子、德国肖特和日本NEG等少数几家企业能够稳定批量生产，整个产业处于高度垄断状态，中国作为全球PC、平板及智能手机生产大国，仅旭虹和南玻可小批量生产高铝盖板玻璃，整体上来说，在盖板玻璃基板的基础材料上却一直受制于国外，高铝玻璃熔点高，难以熔化澄清，产业安全及产业的长远发展受到了严重的限制。

如果采用全氧窑炉生产高铝电子玻璃，容易出现气泡多、玻筋重、β-OH含量高等问题，会影响产成品率，及后加工性能。

如果采用空气窑炉生产高铝电子玻璃，由于高铝玻璃熔点高，至少需要1610℃以上的高温，窑炉熔化部投料口、底层及池壁、熔化部碹顶、蓄热室及其碹顶均容易损坏，其中熔化部碹顶如采用传统的硅质材料，在高温下抗碱侵蚀差，受火焰及碱性物料的冲刷，产生烧损，影响生产连续性，窑炉寿命短；而且池壁如采用传统配置，高铝高碱玻璃液将对池壁侵蚀加剧，容易被侵蚀断裂，生产时造成锆、铝质耐火材料缺陷，投料口如没有护砖容易在生产后期产生断裂；蓄热室碹顶如采用传统的硅砖材质，则耐高温、高碱环境下，抗碱侵蚀极差，寿命极短，生产时需要定期进行修补，影响产品质量。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种应用于高铝电子玻璃生产的熔窑结构，可熔制铝含量0～24％的高铝玻璃，满足低铁、高铝、超白、超薄电子玻璃的生产。

本发明采取的技术方案是，一种应用于高铝电子玻璃生产的熔窑结构，包括熔化部，其前端设有投料壁，两侧均设有蓄热室，蓄热室与熔化部的侧壁之间通过小炉连通；熔化部的碹顶火焰区采用AZS电熔锆刚玉砖和α-β刚玉砖，非火焰区胸墙采用α-β刚玉砖和β刚玉砖，蓄热室的碹顶为电熔镁砂砖，熔化部池壁和底部均为高锆砖。

进一步地，熔化部的底部为双层铺面砖，铺面砖为高锆砖。

进一步地，所述投料壁位于熔化部内部的下侧设有防护砖，防护砖层的厚度为投料壁厚度的1/2以上；高度为投料壁高度的1/3以上，材质选用同等配置的AZS电熔锆刚玉砖。

进一步地，所述蓄热室内部顶层格子砖为氧化铝格子砖，Al₂O₃含量大于99.1wt％。优选地，顶层3-5层格子砖为氧化铝格子砖。

进一步地，熔化部的碹顶火焰区为AZS电熔锆刚玉砖和α-β刚玉砖，其中AZS电熔锆刚玉砖使用面积占40-80％，优选60-80％；优选α-β刚玉砖，非火焰区胸墙采用α-β刚玉砖和β刚玉砖，其中α-β刚玉砖使用面积占30-90％，优选50～70％。

进一步地，所述β刚玉砖Al₂O₃含量为在92wt％以上。

进一步地，所述α-β刚玉砖中Al₂O₃含量为92～98wt％。

进一步地，电熔镁砂砖MgO含量为95～99wt％。

进一步地，所述高锆砖的ZrO₂含量为90～97wt％。

本发明还涉及所述的熔窑结构在高铝电子玻璃生产中的应用，所述的高铝玻璃中铝含量在24wt％以下。