[发明专利]一种天麻单层高产栽培的新方法

权利要求书

1.一种天麻单层高产栽培的新方法，其特征在于；所述天麻单层高产栽培的新方法包括以下步骤：

S1、树棒准备：将直径10-13厘米的青冈树棒截成长24-26短节，两端成斜面，斜面长5厘米左右的短节，树棒的两侧斜砍鱼鳞口深达木质部；

S2、培育菌床：春季，选择疏松透气的沙壤或黑壤土为栽培地块，先将选择好的栽培地块平整，挖深10厘米，宽80厘米，长因地势而定的栽培坑，坑底稍倾斜并疏松土壤；

S3、按间距6-8厘米横向摆好的3节短节，两端斜面向上；

S4、在短节间和节间斜面处均匀摆放蜜环菌；

S5、覆土一层，以盖住菌材为宜；

S6、按照上述方法栽培第二层；

S7、然后覆土7-9厘米，用树叶覆盖10厘米；

S8、栽培：在初冬季节，剥去上层覆土和第一层菌材，刨开下层菌材的两侧和斜面土壤均匀天麻种子，每节放种8粒，覆土2厘米，按照上述方法再覆土6-9厘米，上盖树叶保温保湿。

2.根据权利要求1所述的一种天麻单层高产栽培的新方法，其特征在于，所述步骤S1中，需将直径10-13厘米的青冈树棒截成长25短节。

3.根据权利要求1所述的一种天麻单层高产栽培的新方法，其特征在于，所述步骤S3中、按间距7厘米横向摆好的3节短节，两端斜面向上。

4.根据权利要求1所述的一种天麻单层高产栽培的新方法，其特征在于，所述步骤S7中，需先覆土8厘米，然后用树叶覆盖10厘米。

5.根据权利要求1所述的一种天麻单层高产栽培的新方法，其特征在于，所述步骤S8中，每节放种8粒，覆土2厘米，按照上述方法再覆土7厘米，上盖树叶保温保湿。