[发明专利]薄膜太阳能电池及其形成方法

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

在衬底上形成后接触层；

在所述后接触层上形成吸收层；

在所述吸收层上形成缓冲层；

划出穿过所述缓冲层和所述吸收层的P2线；

在所述缓冲层上方沉积透明导电氧化物(TCO)层；

对所沉积的TCO层进行退火以提供前接触层；以及

划出穿过所述TCO层、所述缓冲层和所述吸收层的P3线，其中，所述P2线和所述P3线暴露所述后接触层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积的步骤包括通过化学汽相沉积来沉积所述TCO层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积的TCO层包括掺杂的金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火步骤包括在约60℃至约300℃的温度范围内对所沉积的TCO层进行退火。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火步骤包括在约100℃至约200℃的温度范围内对所沉积的TCO层进行退火。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火步骤包括对所沉积的TCO层进行退火的时间持续约1小时以下。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火步骤包括对所沉积的TCO层进行退火的时间持续约10分钟以上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火步骤包括将所述太阳能电池放置于退火室中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述沉积步骤包括将所述太阳能电池放置于沉积室中。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在单个的同轴室中实施所述沉积步骤和所述退火步骤。

11.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

提供子结构，所述子结构包括：后接触层，位于衬底上；P1线，穿过所述后接触层；吸收层，位于所述后接触层上且填充所述P1线；缓冲层，位于所述吸收层上；和P2线，穿过所述缓冲层和所述吸收层；

在所述缓冲层上方沉积透明导电氧化物(TCO)层；

对所沉积的TCO层进行退火；以及

划出穿过所述TCO层、所述缓冲层和所述吸收层的P3线，其中，所述P2线和所述P3线暴露所述后接触层。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括将所述子结构放置于单个的同轴室中，其中，在所述单个的同轴室中实施沉积所述TCO层的步骤以及将所沉积的TCO层退火的步骤。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

(a)在沉积所述TCO层之前将所述子结构放置于沉积室中，在所述沉积室中沉积所述TCO层；以及

(b)在所述退火步骤之前将所述子结构放置于退火室中，在所述退火室中实施所述退火。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述退火步骤之前实施划出所述P3线的步骤。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述沉积步骤包括通过化学汽相沉积来沉积所述TCO层。

16.一种太阳能电池，包括：

后接触层；

吸收层，位于所述后接触层上；

缓冲层，位于所述吸收层上；

P2线，穿过所述缓冲层和所述吸收层；

前接触层，位于所述缓冲层上，所述前接触层包括退火的TCO层；以及

P3线，穿过前接触层、所述缓冲层和所述吸收层，所述P2线和所述P3线与所述后接触层接触。