[发明专利]一种电调控交换偏置方法、器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910643425.7 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110311033A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杜军;魏陆军;徐永兵;刘若柏;袁源;王佶;刘波 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司;南京大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电调控 扫描 高阻态 偏置 交换偏置场 低阻态 矫顽力 制备 交换 限制电流 非易失 负电压 可重复 原始态 正电压 可逆 限流 重置 转化 | ||
1.一种电调控交换偏置方法，其特征在于：包括以下步骤：
S11：电调控器件的原始态处于高阻态，将电调控器件的电压从0V开始向负电压扫描，扫描至-4.2V时的限制电流设定为1mA；然后继续扫描至-5V，再从-5V扫描至0V；
S21：取消限流，从0V开始向正电压扫描，扫描至5V，再从5V扫描至0V。
2.一种电调控器件，其特征在于：包括衬底，衬底为Si片，Si片上部设有Ti层，Ti层上部设有Pt层，Pt层上部设有FeOx层，FeOx层上部设有Co层，Co层上部设有ITO层；其中，x为1.5。
3.根据权利要求2所述的电调控器件，其特征在于：所述Ti层的厚度为2nm，Pt层的厚度为50nm，FeOx层的厚度为65nm，Co层的厚度为2.6nm，ITO层的厚度为67nm。
4.制备权利要求2所述电调控器件的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：以Si片作为衬底，在衬底上沉积Ti层；
S2：在Ti层上沉积Pt层；
S3：在Pt层上沉积FeOx层；
S4：在FeOx层上加一个带圆孔的掩膜片和一个平行于掩膜片的均匀磁场，依次沉积Co层和ITO层。
5.根据权利要求4所述的制备电调控器件的方法，其特征在于：所述步骤S1、S2和S4中所有的沉积操作都通过直流磁控溅射法实现。
6.根据权利要求4所述的制备电调控器件的方法，其特征在于：所述步骤S3中的沉积操作通过射频磁控溅射法实现。
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