[发明专利]一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层有效
| 申请号： | 201910643471.7 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110518102B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200013 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 超薄 外延 结构 应力 调节 | ||
1.一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层，应力调节层位于一外延层上，其特征在于，所述应力调节层包括多层多周期应力调节层和位于多层多周期应力调节层顶部的一位错微调层；所述外延层的导电类型与所述位错微调层的导电类型相同；所述多层多周期应力调节层中、所述位错微调层中均掺杂有相同导电类型的掺杂元素；所述位错微调层中所述掺杂元素的掺杂浓度大于所述多层多周期应力调节层中的所述掺杂元素的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述位错微调层中的所述掺杂元素的掺杂浓度为所述多层多周期应力调节层中的所述掺杂元素的掺杂浓度的10倍或以上。
3.根据权利要求2所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述位错微调层中的所述掺杂元素的掺杂浓度为1E18～5E18atoms/cm3；所述多层多周期应力调节层中的所述掺杂元素的掺杂浓度为1E17～3E17atoms/cm3。
4.根据权利要求1所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述掺杂元素为Si；所述位错微调层与所述外延层的导电类型为N型。
5.根据权利要求1所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述位错微调层的厚度小于所述多层多周期应力调节层的厚度。
6.根据权利要求1所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述位错微调层的厚度为1～100nm，所述位错微调层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种复合。
7.根据权利要求1所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述多层多周期应力调节层由多个应力调节单元堆叠而成，每一个应力调节单元包括两层成分相同但含量不同的第一应力调节层和第二应力调节层。
8.根据权利要求7所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，第一应力调节层的化学式为Alx1Iny1Ga1-x1-y1N，其中，x1不大于0.5，y1不大于0.5；第二应力调节层的化学式为Alx2Iny2Ga1-x2-y2N，其中，x2不大于0.5，y2不大于0.5。
9.根据权利要求7所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述第一应力调节层的禁带宽度大于所述第二应力调节层的禁带宽度。
10.根据权利要求7所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述位错微调层的厚度大于或等于所述第一应力调节层的厚度。
11.根据权利要求7所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述位错微调层的厚度大于或等于所述第二应力调节层的厚度。
12.根据权利要求7所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述第一应力调节层的厚度为2～20nm，第二应力调节层的厚度为1～3nm。
13.根据权利要求1所述的用于半导体超薄外延结构的应力调节层，其特征在于，所述应力调节层的总厚度不大于230nm。
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