[发明专利]一种有机光电材料、制备方法及其应用与相应器件

权利要求书

1.一种有机光电材料，其特征在于，该有机光电材料为p-PO15NCzDPA或m-PO15NCzDPA，具有如下式所示的化学结构式：

2.一种用于制备权利要求1所述有机光电材料的制备方法，其特征在于，其合成路线如下：

3.如权利要求1所述有机光电材料作为发光层或电子传输层在有机电致发光器件中的应用。

4.如权利要求1所述有机光电材料的应用，其特征在于，所述有机光电材料是同时作为发光层和电子传输层应用的，对应形成基于p-PO15NCzDPA或m-PO15NCzDPA的发光层-电子传输层同质结结构。

5.一种发光层-电子传输层同质结结构，其特征在于，该发光层-电子传输层同质结结构是基于p-PO15NCzDPA或m-PO15NCzDPA，其中p-PO15NCzDPA或m-PO15NCzDPA具有如下式所示的化学结构式：

6.一种有机电致发光器件，自下而上包括阳极、有机功能层及阴极，所述有机功能层自下而上包括空穴传输层、发光层-电子传输层和电子注入层，其特征在于，所述发光层-电子传输层为如权利要求5所述发光层-电子传输层同质结结构。

7.如权利要求6所述有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为10nm至30nm；所述电子传输层的厚度为20nm至60nm；

在所述空穴传输层与所述阳极之间还设置有空穴注入层，所述空穴注入层与所述空穴传输层为：(Ⅰ)溶液法制备的PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层及Poly-TPD薄膜作为空穴传输层，它们的厚度均满足10nm至50nm；或(Ⅱ)溶液法制备的PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层及聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)薄膜作为空穴传输层，它们的厚度均满足10nm至50nm；或(Ⅲ)溶液法制备的厚度为10nm至30nm的PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层及厚度为30nm至80nm的二吡嗪并[2,3-F:2',3'-H]喹喔啉2,3,6,7,10,11-六腈(HATCN)与4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)构成的复合型薄膜作为空穴传输层；或者，所述空穴传输层与所述阳极直接接触，所述空穴传输层为：(Ⅳ)溶液法制备的厚度为30nm至80nm的二吡嗪并[2,3-F:2',3'-H]喹喔啉2,3,6,7,10,11-六腈(HATCN)与1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)构成的复合型薄膜作为空穴传输层；

所述电子注入层为真空蒸镀的方法制备的LiF或Cs₂CO₃或LiQ或Libpps，该电子注入层的厚度为0.5nm至5nm；

所述阳极为复合氧化物金属薄膜，为50nm至150nm的氧化铟锡(ITO)薄膜；所述阴极为真空热蒸镀的方法制备的金属阴极或复合金属阴极，其中，所述金属阴极为80nm至150nm的金属Al阴极；所述复合金属阴极为Mg/Al复合金属阴极或Yb/Al复合金属阴极或Sm/Al复合金属阴极，并且，在这些复合金属阴极中，Al金属层的厚度均为50nm至90nm，另一金属层的厚度均为1nm至3nm。

8.如权利要求6所述有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括激子阻挡层，该激子阻挡层设置在所述空穴传输层与所述发光层-电子传输层之间。