[发明专利]用于接合基板的接触表面的方法

权利要求书

1.一种用于将第一基板(1、1')的第一接触表面与第二基板的第二接触表面相接合的方法，其具有以下步骤：

-将固体牺牲层施加到所述第一接触表面和所述第二接触表面中的至少一个，

-将液体牺牲层施加到所述固体牺牲层上，

-接合所述第一基板(1、1')和所述第二基板，其中所述固体牺牲层和所述液体牺牲层在接合步骤期间溶解于环绕所述固体牺牲层和所述液体牺牲层的材料中或在界面上消耗。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加具有小于1000nm的厚度的所述固体牺牲层，或施加具有小于1000nm的厚度的所述液体牺牲层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，施加具有小于100nm的厚度的所述固体牺牲层，或施加具有小于100nm的厚度的所述液体牺牲层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，施加具有小于10nm的厚度的所述固体牺牲层，或施加具有小于10nm的厚度的所述液体牺牲层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，施加具有小于1nm的厚度的所述固体牺牲层，或施加具有小于1nm的厚度的所述液体牺牲层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述固体牺牲层至少主要地由以下材料中的至少一种构成：

-金属，

-合金，

-半导体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属是Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Te、Sn和/或Zn。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述半导体是具有相应掺杂的半导体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述半导体是元素半导体、化合物半导体或有机半导体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述元素半导体是Si、Ge、Se、Te、B和/或(α)-Sn。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述化合物半导体是GaAs、GaN、InP、In_xGa_1-xN、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe₂、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg(1-x)Cd(x)Te、BeSe、HgS、Al_xGa_1-xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe₂、CuInS₂、CuInGaS₂、SiC和/或SiGe。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述有机半导体是黄烷士酮、萘环酮、Alq3、并四苯、喹吖啶酮、并五苯、酞青素、聚噻吩、PTCDA、MePTCDI、吖啶酮和/或阴丹酮。

13.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述液体是如下中的至少一种：

-水，

-醇，

-醛，

-酮，

-醚，

-酸，

-碱基。

14.根据权利要求6所述的方法，其中，所述固体牺牲层完全地由以下材料中的至少一种构成：

-金属，

-合金，

-半导体。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述金属是Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Te、Sn和/或Zn。