[发明专利]动态半导体存储器装置及具有其的存储器系统

说明书

提供了动态半导体存储器装置及包括其的存储器系统。动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括具有连接在第一字线与第一位线之间的多个第一动态存储器单元的第一存储器单元阵列块、具有连接在第二字线与第二位线之间的多个第二动态存储器单元的第二存储器单元阵列块及具有感测放大器的感测放大块，感测放大器被配置为将第一位线和第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的第二感测电源电压；温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及电压生成器，被配置为响应于温度感测信号生成第一或第二感测电源电压，将第一或第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，将感测接地电压施加到存储器单元阵列。

本申请要求于2018年12月3日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0153800号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

与本发明构思一致的装置和系统涉及一种动态半导体存储器装置及一种包括其的存储器系统。

背景技术

动态半导体存储器装置(例如，动态随机存取存储器(DRAM)装置)包括多个动态存储器单元，并且多个动态存储器单元中的每个可以包括一个晶体管和一个电容器。累积在动态半导体存储器装置的多个动态存储器单元的电容器中的电荷会泄露，因此，可以周期性地执行刷新操作以刷新在多个动态存储器单元的电容器中累积的电荷。随着动态半导体存储器装置的温度升高，累积在多个动态存储器单元的电容器中的电荷会更快地泄露。

发明内容

本发明构思的示例实施例旨在提供一种动态半导体存储器装置以及一种包括该动态半导体存储器装置的存储器系统，所述动态半导体存储器装置被配置为随着动态半导体存储器装置的温度升高而补偿从动态半导体存储器装置的多个动态存储器单元泄漏的电荷。

发明构思的范围不限于上述目的，并且本领域技术人员可从以下描述清楚地理解其他未提及的目的。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种动态半导体存储器装置，所述动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，具有包括连接在多条第一字线与多条第一位线之间的多个第一动态存储器单元的第一存储器单元阵列块、包括连接在多条第二字线与多条第二位线之间的多个第二动态存储器单元的第二存储器单元阵列块及包括多个感测放大器的感测放大块，所述多个感测放大器被配置为在感测放大操作期间将所述多条第一位线的电压和所述多条第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的至少一个第二感测电源电压；温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及电压生成器，被配置为响应于温度感测信号生成第一感测电源电压或至少一个第二感测电源电压，并且将第一感测电源电压或至少一个第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，以及将感测接地电压施加到存储器单元阵列。

根据本发明构思的一种动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，具有连接在多条字线与多条位线之间的多个动态存储器单元及被配置为放大多条位线的电压的多个感测放大器；温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及电压生成器，被配置为响应于温度感测信号生成第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的至少一个第二感测电源电压，并且将第一感测电源电压或至少一个第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，以及将感测接地电压施加到存储器单元阵列。多个感测放大器还被配置为在感测放大操作期间将与连接到从所述多条字线中选择的至少一条字线的动态存储器单元对应的位线的电压放大至第一感测电源电压或至少一个第二感测电源电压。