[发明专利]电致变色装置中的作为电荷存储材料的金属氧化物、金属青铜和多金属氧酸盐

权利要求书

1.一种电致变色装置的电荷存储材料，包括溶液处理的低温金属氧化物或其水合物、溶液处理的低温金属青铜或其水合物、溶液处理的低温多金属氧酸盐或其水合物中的一种或更多种；

其中所述电荷存储材料通过以下方法形成：

将金属醇盐混合在溶剂中以形成溶液或悬浮液，将所述溶液或悬浮液涂覆在衬底上以形成湿层，并且使所述湿层在环境条件下干燥以形成干燥的金属氧化物层，使干燥的金属氧化物层在低于150℃的温度下干燥，以形成电荷存储材料；或

在溶剂中形成金属氧化物的纳米颗粒的溶液或悬浮液，将所述溶液或悬浮液涂覆在衬底上以形成湿层，并使所述湿层在环境条件下干燥以形成干燥的金属氧化物层，从而形成电荷存储材料；或

利用氧化剂来氧化溶剂中的金属以形成含有金属氧化物、金属青铜或多金属氧酸盐的溶液或悬浮液，在衬底上形成所述溶液或悬浮液的湿层，然后通过干燥所述溶液或悬浮液的湿层来形成金属氧化物、金属青铜或多金属氧酸盐的固体膜，从而形成电荷存储材料。

2.根据权利要求1所述的电荷存储材料，其中溶液处理的低温金属氧化物或其水合物包括分子式为M¹_y1M²_y2M³_y3O_x的金属氧化物或其水合物，其中每个M¹、M²和M³独立地为金属，x为1.5到3，每个y1、y2和y3独立地为0到1，条件是y1 + y2 + y3等于1。

3.根据权利要求2所述的电荷存储材料，其中溶液处理的低温金属氧化物或其水合物包括分子式为M¹_y1M²_y2M³_y3O_x·nH₂O的金属氧化物的水合物，其中每个M¹、M²和M³独立地为金属，x为1.5到3，每个y1、y2和y3独立地为0到1，条件是y1 + y2 + y3等于1，并且n独立地为0到3。

4.根据权利要求3所述的电荷存储材料，其中溶液处理的低温金属氧化物或其水合物包括选自以下的金属氧化物水合物：

V_y1Ti_y2O_x·nH₂O，其中y1与y2的比为1:10到50:1，

V_y1Si_y2O_x·nH₂O，其中y1与y2的比为1:10到50:1，

V_y1Al_y2O_x·nH₂O，其中y1与y2的比为1:10到50:1，

V_y1Mo_y2O_x·nH₂O，其中y1与y2的比为1:10到50:1，

V_y1Nb_y2O_x·nH₂O，其中y1与y2的比为1:10到50:1，

V_y1Zr_y2O_x·nH₂O，其中y1与y2的比为1:10到50:1，

以及V_y1Ti_y2Al_y3O_x·nH₂O，其中y1与y2的比为1:1到50:1，y2与y3的比为50:1到1:50，y1与y3的比为1:10到50:1，

或其混合物，

其中x为1.5到3，y1 + y2等于1或y1 + y2 + y3等于1，n为0到3。