[发明专利]一种大功率发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种大功率发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的外延结构，所述外延结构包括在所述衬底表面依次堆叠的缓冲层、非故意掺杂层、超晶格导电层、第一型导电层、有源层和第二型导电层；所述超晶格导电层包括n个堆叠设置的周期单元，周期排列顺序从所述衬底开始由下往上依次增加；各所述周期单元包括依次堆叠的第一超晶格层、第一超晶格隔离层、第二超晶格层；外延结构的局部区域蚀刻至一定厚度的第一型导电层，形成台面，所述台面的侧壁沉积有电极隔离层；

第一电极，所述第一电极包括第一焊盘和至少一个第一扩展电极；所述第一焊盘层叠于所述台面；各所述第一扩展电极分别嵌入所述超晶格导电层的最后一周期单元内与第一超晶格层形成欧姆接触，并往上延伸至台面与所述第一焊盘形成欧姆接触；

第二电极，位于所述第二型导电层的上表面，包括第二焊盘和至少一个第二扩展电极；各所述第二扩展电极分别与所述第二焊盘形成欧姆连接，并远离各所述第一扩展电极设置。

2.根据权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于，各所述周期单元包括依次堆叠的第二超晶格隔离层、第一超晶格层、第一超晶格隔离层、第二超晶格层，所述第二超晶格隔离层和所述第一超晶格隔离层的材料体系及厚度均相同。

3.根据权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述第一超晶格层包括掺杂型材料层，所述第二超晶格层包括非掺杂型材料层，所述第一超晶格隔离层包括高掺型材料层，所述第一超晶格隔离层分别与第一超晶格层、第二超晶格层的接触面形成δ掺杂。

4.根据权利要求2所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述第一超晶格层包括掺杂型材料层，所述第二超晶格层包括非掺杂型材料层，所述第一超晶格隔离层和所述第二超晶格隔离层包括高掺型材料层，所述第一超晶格隔离层、第二超晶格隔离层分别与第一超晶格层、第二超晶格层的接触面形成δ掺杂。

5.根据权利要求1或2所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述第一超晶格层和第二超晶格层包括GaN层，所述第一超晶格隔离层和第二超晶格隔离层包括AlGaN层或InGaN层或AlInGaN层。

6.根据权利要求5所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述第一超晶格层和第二超晶格层的厚度相同，且厚度均小于20nm。

7.根据权利要求6所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述第一超晶格隔离层和第二超晶格隔离层的厚度为D1，所述第一超晶格层和第二超晶格层的厚度为D2，D1≤0.5*D2。

8.根据权利要求7所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述第一超晶格隔离层、第二超晶格隔离层的厚度均小于5nm。