[发明专利]一种基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路

权利要求书

1.一种基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容和运算放大器，

第一电阻的输入端作为所述二阶低通滤波器电路的输入端，其输出端连接第三电阻的输入端；

第二电容的下极板连接第三电阻的输出端和运算放大器的输出端并作为所述二阶低通滤波器电路的输出端，其上极板连接运算放大器的负向输入端；

第一电容的上极板连接第二电阻的输入端，其下极板连接运算放大器的正向输入端并连接共模电平；

其特征在于，所述二阶低通滤波器电路还包括第一电流舵模块和第二电流舵模块，

所述第一电流舵模块的输入端连接第一电阻的输出端，用于将第一电阻的输出端电流分流为两部分电流，分流之后电流值更小的一部分电流流入第二电阻的输入端，另一部分电流流出所述二阶低通滤波器电路的信号通路；

所述第二电流舵模块的输入端连接第二电阻的输出端，用于将第二电阻的输出端电流分流为两部分电流，分流之后电流值更小的一部分电流流入第二电容，另一部分电流流出所述二阶低通滤波器电路的信号通路。

2.根据权利要求1所述的基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路，其特征在于，所述第一电流舵模块包括第一NMOS管和第二NMOS管，

第一NMOS管的栅极连接第一偏置电压，其漏极连接第二NMOS管的漏极并作为所述第一电流舵模块的输入端，其源极连接共模电平；

第二NMOS管的栅极连接第二偏置电压，其源极连接第二电阻的输入端；

第一NMOS管的尺寸大于第二NMOS管的尺寸；

所述第二电流舵模块包括第三NMOS管和第四NMOS管，

第三NMOS管的栅极连接第一偏置电压，其漏极连接第四NMOS管的漏极并作为所述第二电流舵模块的输入端，其源极连接共模电平；

第四NMOS管的栅极连接第二偏置电压，其源极连接第二电容的上极板；

第三NMOS管的尺寸大于第四NMOS管的尺寸。

3.根据权利要求2所述的基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路，其特征在于，第一NMOS管的尺寸是第二NMOS管尺寸的10倍，第三NMOS管的尺寸是第四NMOS管尺寸的10倍。

4.根据权利要求2或3所述的基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路，其特征在于，所述第一偏置电压和第二偏置电压均为可调偏置电压。

5.根据权利要求2或3所述的基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路，其特征在于，所述第二偏置电压的电压值为第一偏置电压的电压值的一半，第一偏置电压为电源电压。

6.根据权利要求1所述的基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路，其特征在于，所述运算放大器包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、弥勒补偿电容和负载电容，

第三PMOS管的栅极作为所述运算放大器的负向输入端，其源极连接第四PMOS管的源极和第一PMOS管的漏极，其漏极连接第八NMOS管的漏极、第五NMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极；

第四PMOS管的栅极作为所述运算放大器的正向输入端，其漏极连接第七NMOS管的栅极和第九NMOS管的漏极；

第二PMOS管的栅极连接第一PMOS管的栅极并连接第三偏置电压，其源极连接第一PMOS管的源极并连接电源电压，其漏极连接第七NMOS管的漏极并作为所述运算放大器的输出端；

负载电容接在所述运算放大器的输出端和地之间；

第八NMOS管的栅极连接第九NMOS管的栅极和第四偏置电压，其源极连接第五NMOS管的漏极；

第六NMOS管的漏极连接第九NMOS管的源极并通过弥勒补偿电容后连接所述运算放大器的输出端，其源极连接第五NMOS管和第七NMOS管的源极并接地。