[发明专利]半导体器件

说明书

使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2)；形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3)；形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4>DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C)，实现耐湿性的提高。

本发明申请是国际申请日为2014年01月29日、国际申请号为PCT/JP2014/051982、进入中国国家阶段的国家申请号为201480001983.9、发明名称为“半导体器件”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件，涉及适用于例如具有线圈的半导体器件的有效的技术。

背景技术

作为在输入的电信号的电位互不相同的两个电路之间传输电信号的装置，存在使用了光电耦合器的装置。光电耦合器具有发光二极管等发光元件和光电晶体管(phototransistor)等受光元件，通过发光元件将输入的电信号转换为光，通过受光元件将该光复原为电信号，从而传输电信号。

另外，开发了使两个线圈感应耦合，从而传输电信号的技术。例如，在专利文献1(日本特开2009-302418号公报)中，公开了具有第1线圈、第1绝缘层、第2线圈的电路装置。

另外，在专利文献2(日本特开2003-309184号公报)中，公开了线圈和电容器形成在同一衬底上，具有多个层叠的线圈图案的复合模块。

另外，在专利文献3(日本特开2009-141011号公报)、专利文献4(日本特开2004-311655号公报)及专利文献5(日本特开2004-281838号公报)中，分别公开了密封环、金属防护件、保护环(guard ring)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-302418号公报

专利文献2：日本特开2003-309184号公报

专利文献3：日本特开2009-141011号公报

专利文献4：日本特开2004-311655号公报

专利文献5：日本特开2004-281838号公报

发明内容

作为在输入的电信号的电位互不相同的两个电路之间传输电信号的技术，存在使用了上述“光电耦合器”的技术。然而，由于光电耦合器具有发光元件和受光元件，所以难以小型化。另外，在电信号的频率较高的情况下，变得无法跟踪电信号，另外，不能在125oC以上的高温下使其动作等，其采用存在极限。

另一方面，在使两个线圈感应耦合，从而传输电信号的半导体器件中，能够利用半导体器件的精细加工技术形成线圈，能够实现器件的小型化，而且电气特性也良好，希望该器件的开发。

因此，在使两个线圈感应耦合从而传输电信号的半导体器件中，也希望尽可能使性能提高。

其他的课题与新的特征将从本说明书的记述及附图得以明确。

在本申请中公开的实施方式中，简单地说明代表性器件的概要如下。