[发明专利]一种二维GaTe材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910645657.6 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110240127B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 汪桂根;韩茂;杨硕;党乐阳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 gate 材料 制备 方法 | ||
1.一种二维GaTe材料的制备方法，其特征在于，包括依次执行如下步骤：
步骤1：称取一定量的碲粉和镓液，将其分别放置于两个坩埚中，放置碲粉为碲源的坩埚为第一坩埚、放置镓液为镓源的坩埚为第二坩埚；
步骤2：分别将步骤1中的所述第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间需间隔一定距离；
步骤3：将衬底位于CVD管式炉内且倒置在第二坩埚正上方；
步骤4：将氩气和氢气的混合气体通入CVD管式炉中，并对CVD管式炉进行升温，当升温到设定温度时保温一定时间，然后自然冷却到室温，即能在所述衬底上沉积二维GaTe材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤1中，称取的碲粉的重量为10～20mg，量取的镓液体积为1～2mL。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，所述第一坩埚中的碲源与所述第二坩埚中的镓源间隔距离为16～20cm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤3中，所述衬底为云母衬底。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤4中，通入的氩气的气流量为50～100sccm，通入的氢气的气流量为10～20sccm。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤4中，以50℃/min升温到650～800℃，保温时间为15min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤1中，所述坩埚为尺寸80×10×10mm的氧化铝坩埚。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
在所述步骤1中，称取15mg的碲粉置于第一坩埚中，量取1.5mL的镓液置于第一坩埚中；
在所述步骤2中，将第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间的距离为18cm；
在所述步骤3中，将衬底倒置在第二坩埚的正上方；
在所述步骤4中，通入氩气的气流量为50sccm和氢气的气流量为10sccm的混合气体，并以50℃/min升温到650～800℃，保温15min，然后自然冷却到室温，即可在衬底上沉积二维GaTe材料。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤4中，通入氩气的气流量为50sccm和氢气的气流量为10sccm的混合气体，并以50℃/min升温到650℃或700℃或750℃或800℃，保温15min，然后自然冷却到室温，即可在衬底上沉积二维GaTe材料。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤4中，室温为25℃。
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