[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201910646657.8 申请日: 2019-07-17
公开(公告)号: CN110364117B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 于子阳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225;G09G3/3258
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张润
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 显示 面板 显示装置
【说明书】:

发明公开了一种像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置,像素电路包括:存储电容,其一端输入第一控制信号;第一晶体管,其第一极与第一电压信号端电连接,栅极与存储电容的另一端电连接,并形成第一节点;第二晶体管,其第一极与第一节点电连接,第二极与第一晶体管的第二极电连接,并形成第二节点,栅极输入第二控制信号;有机发光二极管,其阳极与第二节点电连接,阴极与第二电压信号端电连接,第二电压信号端施加有低电平;通过第一控制信号、第二控制信号,以及第一电压信号端施加的电压信号,对第一晶体管的阈值电压进行补偿。该像素电路,不仅能够在实现Vth像素的补偿功能,且占用空间小,可广泛应用在高PPI OLED显示中。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素电路、一种像素电路的驱动方法、一种显示面板和一种显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)像素需要采用电流驱动的方式实现发光,因此对DTFT(Driving Thin Film Transistor,驱动薄膜晶体管)的电流稳定性要求很高。而采用LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅)工艺制作的DTFT通常无法维持稳定,在ELA晶化(Excimer Laser Annealing,准分子激光晶化)、长时间压力、温度变化等的作用下DTFT的阈值电压Vth、迁移率会发生偏移。因此需要设计复杂的像素电路(如7T1C)对DTFT进行补偿,保证在不同工作条件下DTFT输出稳定的电流,保证OLED显示器的显示效果和寿命。然而,制作显示面板的工艺能力有限,随着显示面板PPI(Pixels Per Inch,像素密度)的升高,7T1C像素电路将无法用于驱动高PPI显示。

发明内容

本发明旨在在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种像素电路,不仅可使DTFT输出稳定的电流,且可用于驱动显示面板高PPI显示。

本发明的第二个目的在于提出一种像素电路的驱动方法。

本发明的第三个目的在于提出一种显示面板。

本发明的第四个目的在于提出一种显示装置。

为达上述目的,本发明第一方面实施例提出了一种像素电路,包括:存储电容,所述存储电容的一端与第一控制信号端电连接,用以输入第一控制信号;第一晶体管,所述第一晶体管的第一极与第一电压信号端电连接,所述第一晶体管的栅极与所述存储电容的另一端电连接,并形成第一节点;第二晶体管,所述第二晶体管的第一极与所述第一节点电连接,所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第二极电连接,并形成第二节点,所述第二晶体管的栅极与第二控制信号端电连接,用以输入第二控制信号;有机发光二极管,所述有机发光二极管的阳极与所述第二节点电连接,阴极与第二电压信号端电连接,其中,所述第二电压信号端施加有低电平;其中,通过所述第一控制信号、所述第二控制信号,以及所述第一电压信号端施加的电压信号,对所述第一晶体管的阈值电压进行补偿。

本发明实施例的像素电路,不仅能够在实现Vth像素的补偿功能,且占用空间小,可广泛应用在高PPI OLED显示中。

另外,根据本发明实施例的像素电路还可以具有如下附加的技术特征:

根据本发明的一个实施例,所述第二晶体管为双栅薄膜晶体管,双栅均与所述第二控制信号端电连接。

根据本发明的一个实施例,所述第一晶体管和所述第二晶体管均为多晶薄膜晶体管或氧化锌薄膜晶体管。

根据本发明的一个实施例,所述第一晶体管为P型或者N型薄膜晶体管,所述第二晶体管为P型或者N型薄膜晶体管。

根据本发明的一个实施例,所述第一晶体管的第一极为源极,所述第一晶体管的第二极为漏极,或者,所述第一晶体管的第一极为漏极,所述第一晶体管的第二极为源极。

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