[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，提供衬底，衬底上形成有介质材料的覆盖层，覆盖层中形成有连线层，覆盖层上形成有待刻蚀层，待刻蚀层包括粘合层，在粘合层上形成曝光图案化膜层，曝光图案化膜层中形成有第一刻蚀孔图形，以曝光图案化膜层为掩蔽，在待刻蚀层中形成盲孔，对曝光图案化膜层进行修整，以扩大第一刻蚀孔图形而形成第二刻蚀孔图形，以修整后的曝光图案化膜层为掩蔽，进行待刻蚀层的第二刻蚀，以形成键合孔，并在键合孔中形成键合垫。也就是说，只需要进行一次光刻工艺，就可以通过刻蚀形成键合孔，相比于现有技术中的通过两块掩模版进行两次光刻工艺而言，减少光刻工艺的次数，降低了制造成本。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

目前，主要采用大马士革工艺形成键合垫（bonding pad），其是在形成键合孔之后，通过填充金属材料，来形成键合垫。在形成键合孔时，需要通过两块掩膜版和两次光刻及刻蚀工艺，来形成键合垫的底部过孔和上部过孔，其制造工艺的成本较高，因此，需要进一步的降低制造成本，提高生产率及生产竞争力。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，降低了制造成本。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有介质材料的覆盖层，所述覆盖层中形成有连线层，所述覆盖层上还形成有待刻蚀层，所述待刻蚀层包括粘合层；

在所述待刻蚀层上形成曝光图案化膜层并进行光刻工艺，以在所述曝光图案化膜层中形成第一刻蚀孔图形；

以所述曝光图案化膜层为掩蔽，进行所述待刻蚀层的第一刻蚀，以在所述待刻蚀层中形成盲孔；

进行所述曝光图案化膜层的修整，以扩大所述第一刻蚀孔图形而形成第二刻蚀孔图形；

以修整后的所述曝光图案化膜层为掩蔽，进行所述待刻蚀层的第二刻蚀，以形成键合孔，所述键合孔包括利用所述盲孔形成的贯通至所述连线层的底部过孔，以及在所述第二刻蚀孔图形下、所述底部过孔上的部分厚度的待刻蚀层中形成的上部过孔；

在所述键合孔中形成键合垫。

可选的，所述曝光图案化膜层包括无定型碳掩膜层以及其上的光刻胶层。

可选的，所述无定形碳掩膜层的材料为APF、ODC或SOC。

可选的，在所述无定型碳掩膜层以及所述光刻胶层之间还设置有介质抗反射层；还包括：在进行第二刻蚀之前或进行第二刻蚀时，将所述介质抗放射层去除。

可选的，在所述第一刻蚀中，所述光刻胶层一并被去除。

可选的，所述待刻蚀层为叠层结构，所述第二刻蚀包括多个刻蚀步骤。

可选的，所述粘合层包括第一粘合层以及其上的第二粘合层，所述待刻蚀层还包括第二粘合层上的保护层。

可选的，所述第一粘合层的材料为氧化硅，所述第二粘合层的材料为NDC，所述保护层的材料为氧化硅。

可选的，在所述第一刻蚀中，所述盲孔贯穿所述保护层至部分厚度的第二粘合层中。

可选的，所述第一粘合层与所述覆盖层之间还形成有扩散阻挡层，则，所述第二刻蚀的步骤包括：

将所述第二刻蚀孔图形转移至所述保护层中；

进行所述第二粘合层的刻蚀，直至所述盲孔贯穿至所述第一粘合层，并同时在所述盲孔周围部分厚度的第二粘合层中形成上部开口；

进行所述盲孔下第一粘合层的刻蚀，直至所述盲孔贯穿至所述扩散阻挡层；