[发明专利]闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法

权利要求书

1.一种闪存控制器，其中所述闪存控制器耦接至一闪存模块，所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，所述闪存控制器的特征在于，包括：

一存储器，用来存储一程序代码；以及

一微处理器，用来执行所述程序代码以通过一控制逻辑电路来存取所述闪存模块；

其中在所述微处理器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据以后，所述控制逻辑电路自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息，以及所述控制逻辑电路分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布的多个谷值高度以供决定所述控制逻辑电路中的一解码器采用一第一解码方法或是一第二解码方法来进行解码。

2.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述控制逻辑电路判断所述临界电压分布的所述多个谷值高度的任一者是否大于一临界值以产生一判断结果；若所述判断结果指出所述临界电压分布中没有任何谷值高度大于所述临界值，所述解码器使用所述第一解码方法来解码自所述闪存模块接收的数据；以及若所述判断结果指出所述临界电压分布的所述多个谷值高度的任一者大于所述临界值，所述解码器使用所述第二解码方法来解码自所述闪存模块接收的所述数据。

3.如权利要求2所述的闪存控制器，其特征在于，所述第一解码方法是一硬解码方法，以及所述第二解码方法是一软解码方法。

4.如权利要求3所述的闪存控制器，其特征在于，当所述解码器使用所述第二解码方法来解码自所述闪存模块接收的所述数据时，所述控制逻辑电路依据所述临界电压分布来更新所述解码器使用的多个对数似然比值或一对数似然比表。

5.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述至少一记忆单元的每一记忆细胞是用来存储多个位，每一记忆细胞具有多个状态，所述多个状态是用来指出所述多个位的不同组合，每一状态是区分为多个子状态，以及每一记忆细胞的所述多位信息是用来指出所述记忆细胞具有哪一个子状态。

6.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述控制逻辑电路依据所述临界电压分布来更新所述控制逻辑 电路中的一解码器使用的多个对数似然比值及/或一对数似然比表。

7.如权利要求6所述的闪存控制器，其特征在于，所述多个对数似然比值及/或所述对数似然比表是在所述解码器解码自所述至少一记忆单元的所述多个记忆细胞的所述多位信息取得的数据时被更新。

8.一种用来存取一闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，所述方法的特征在于，包括：

发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据；

自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息；以及

分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布的多个谷值高度以供决定一解码器采用一第一解码方法或是一第二解码方法来进行解码。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，依据所述临界电压分布的所述多个谷值高度来决定所述解码器采用的所述解码方法的步骤包括：

判断所述临界电压分布的所述多个谷值高度的任一者是否大于一临界值以产生一判断结果；

若所述判断结果指出所述临界电压分布中没有任何谷值高度大于所述临界值，使用所述第一解码方法来解码自所述闪存模块接收的数据；以及

若所述判断结果指出所述临界电压分布的所述多个谷值高度的任一者大于所述临界值，使用所述第二解码方法来解码自所述闪存模块接收的所述数据。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一解码方法是一硬解码方法，以及所述第二解码方法是一软解码方法。