[发明专利]一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法有效
申请号: | 201910647531.2 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110364421B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 褚海波 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:
传送装置,用以竖直的传送晶圆进入一刻蚀液容器,以及竖直的传送所述晶圆离开所述刻蚀液容器,所述传送装置还包括传送底座,用于带动其携带的晶圆产生竖直方向上的位移;
转动装置,固定设置于所述传送装置上,用以驱动所述晶圆以所述晶圆中心为轴旋转;
第一控制装置,分别连接所述传送装置和所述转动装置,用以于所述传送装置将所述晶圆送入所述刻蚀液容器达到预定行程时启动所述转动装置;
第二控制装置,连接所述转动装置,用以控制所述转动装置于所述晶圆以所述晶圆中心为轴旋转一预定角度后停止;
所述转动装置包括:
转动杆,可转动的固定于所述传送装置上,所述转动杆与所述晶圆边缘形成摩擦传动;
驱动装置,连接所述转动杆,用于为所述转动杆的转动提供动力;
所述转动杆呈圆柱体形状,所述圆柱体的圆形端面的圆周周长与所述晶圆的周长的二分之一保持整数倍关系,则所述第二控制装置通过控制所述转动杆的转动圈数的方式控制所述晶圆的转动角度;
当晶圆完全浸没进入刻蚀溶液以后,位于传送装置上的转动装置开启,驱动晶圆做以晶圆圆心为轴的圆周运动;在晶圆完成湿法刻蚀制程,被传送装置传送出刻蚀液时,转动装置在晶圆上行即将露 出刻蚀液之前完成驱动晶圆进行上下半部分互换的任务。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述转动装置组成一承载面,所述晶圆以所述晶圆中心为轴旋转的放置于所述承载面上。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述转动装置还包括一承载机构,所述转动杆配合所述承载机构承载所述晶圆。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,两个及以上所述转动杆承载所述晶圆,且每个所述转动杆在转动方向以及转动速度上保持同步。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述转动杆于立体空间中相互平行排列。
6.一种湿法刻蚀方法,应用于晶圆的湿法刻蚀,其特征在于,应用如权利要求1-5中任意一项所述的湿法刻蚀设备,并包括:
将一晶圆竖直的送入刻蚀液,并经过一预定制程时间后,将所述晶圆竖直送出所述刻蚀液;
其中,于所述晶圆完全进入所述刻蚀液后,使所述晶圆以所述晶圆的中心为轴旋转一预定角度。
7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀方法,其特征在于,提供一传送装置将所述晶圆送入所述刻蚀液,以及将所述晶圆送出所述刻蚀液。
8.根据权利要求6所述的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述预定角度为180度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造