[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体灰化装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，在使用具有含硼的无定型碳膜的掩模来进行等离子体蚀刻之后，使用等离子体，对硅氮化膜、硅氧化膜或者钨膜，选择性地去除所述无定型碳膜，所述等离子体处理方法的特征在于，

具有：去除工序，使用由O₂气体和CH₃F气体的混合气体生成的等离子体来去除所述无定型碳膜。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述硼的含有率为50％以上，

所述去除工序将载置所述无定型碳膜被去除的试料的试料台的温度设为80～120℃的温度来进行。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述硼的含有率为50％以上，

所述去除工序将所述无定型碳膜被去除的试料的温度设为121～182℃的温度来进行。

4.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述去除工序前，还具有：稳定化工序，将所述O₂气体与CH₃F气体的混合气体提供给进行所述去除工序的处理室并且将所述试料台的温度设为与所述去除工序相同的温度来进行。

5.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述去除工序中，使用将表示OH的波长的发光强度除以表示CO的波长的发光强度得到的值的时间变化来判定所述无定型碳膜的去除的结束。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，

表示所述OH的波长为309nm，

表示所述CO的波长为451nm。

7.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述去除工序中，将处理压力设为250～1000Pa的范围内的压力，将CH₃F气体的流量相对于所述混合气体的流量的比设为5～12％的范围内的流量比，将所述混合气体的流量设为21.5L/min以上。

8.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述稳定化工序在不生成等离子体的情况下进行。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述CH₃F气体的流量相对于所述O₂气体与CH₃F气体的混合气体的流量的比为5～12％的范围内的值。

10.一种等离子体处理方法，在使用具有含硼的无定型碳膜的掩模来进行等离子体蚀刻之后，使用等离子体对硅氮化膜或者硅氧化膜来选择性地去除所述无定型碳膜，所述等离子体处理方法的特征在于，

具有：去除工序，使用由O₂气体和CH₂F₂气体的混合气体生成的等离子体来将所述无定型碳膜去除。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述硼的含有率为50％以上，

所述去除工序将载置所述无定型碳膜被去除的试料的试料台的温度设为20～100℃的温度来进行。

12.根据权利要求10或者11所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述去除工序中，将处理压力设为250～550Pa的范围内的压力，将CH₂F₂气体的流量相对于所述混合气体的流量的比设为5～7.5％的范围内的流量比，将所述混合气体的流量设为21.5L/min以上。