[发明专利]一种可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器

权利要求书

1.一种可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，包括：

金属基底层；

设置在所述的金属基底层上的介质纳米棒结构，所述的介质纳米棒结构由介质纳米棒组成，且形状为柱状；

设置在所述的介质纳米棒结构上的金属-介质-金属核壳纳米棒结构，所述的金属-介质-金属核壳纳米棒结构由第一金属纳米棒、介质纳米棒和第二金属纳米棒组成，且形状为柱状；其中，第一金属纳米棒位于中间，介质纳米棒环绕第一金属纳米棒设置，第二金属纳米棒环绕介质纳米棒设置。

2.根据权利要求1所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，其特征在于：所述介质纳米棒结构阵列设置在所述金属基底层上，阵列方式为周期阵列，所述介质纳米棒结构和金属-介质-金属核壳纳米棒结构的阵列周期范围均为180-230纳米。

3.根据权利要求2所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，其特征在于：所述的介质纳米棒结构的形状为圆柱状，其半径范围为78-82纳米，高度范围为30-50纳米。

4.根据权利要求3所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，其特征在于：所述的金属-介质-金属核壳纳米棒结构的形状为圆柱状，其半径范围为78-82纳米，高度为28-34纳米；其中，位于中间的第一金属纳米棒的半径范围为47-53纳米，环绕第一金属纳米棒设置的介质纳米棒的厚度范围为10-20纳米，环绕介质纳米棒设置的第二金属纳米棒的厚度范围为11-19纳米。

5.根据权利要求4所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，其特征在于：所述的介质纳米棒结构与所述的金属-介质-金属核壳纳米棒结构的半径相等。

6.根据权利要求1所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，其特征在于：所述的金属基底层的厚度不小于100纳米。

7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，其特征在于：所述的金属为金、银或铝。

8.根据权利要求7所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器，其特征在于：所述的介质为二氧化硅、氧化铝或氟化镁。

9.根据权利要求8所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器的应用，其特征在于：所述的可见-近红外波段的可调谐双频完美吸收器用于制作光学传感器。