[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

载流子传输层，位于基底上；

载流子供应层，位于该载流子传输层上；

主栅极以及控制栅极，位于该载流子供应层上；以及

源极电极以及漏极电极，位于该主栅极以及该控制栅极的相对两侧，其中该源极电极以一金属内连线结构电连接该控制栅极。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该主栅极包含底部以及顶部。

3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该底部包含P型氮化镓，而该顶部包含金属。

4.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该底部包含绝缘层，而该顶部包含金属。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

含氟离子掺杂区，位于该主栅极正下方。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该控制栅极包含底部以及顶部。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中该底部包含绝缘层，而该顶部包含金属。

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该金属内连线结构包含金属线。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

缓冲层，设置于该基底以及该载流子传输层之间。

10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含堆叠的三五族半导体层。

11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子传输层包含非有意掺杂的氮化镓层。

12.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含非有意掺杂的氮化铝镓(Al_xGa_1-xN)层、N型氮化铝镓(Al_xGa_1-xN)层或P型氮化铝镓(Al_yGa_1-yN)层。

13.一种形成高电子迁移率晶体管的方法，包含：

依序形成载流子传输层以及载流子供应层于基底上；

形成主栅极以及控制栅极于该载流子供应层上；

形成源极电极以及漏极电极于该主栅极以及该控制栅极的相对两侧；以及

以一金属内连线结构电连接该源极电极及该控制栅极。

14.如权利要求13所述的形成高电子迁移率晶体管的方法，在形成该载流子传输层以及该载流子供应层于该基底上之前，还包含：

形成缓冲层于该基底上。

15.如权利要求13所述的形成高电子迁移率晶体管的方法，其中该主栅极包含底部以及顶部。

16.如权利要求15所述的形成高电子迁移率晶体管的方法，其中该底部包含P型氮化镓，而该顶部包含金属。

17.如权利要求13所述的形成高电子迁移率晶体管的方法，其中该控制栅极包含底部以及顶部。

18.如权利要求17所述的形成高电子迁移率晶体管的方法，其中该底部包含绝缘层，而该顶部包含金属。