[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质

说明书

本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质。本发明的课题是提供：在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge的技术。本发明的蚀刻方法具备如下工序：设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至基板，相对于Si选择性地蚀刻SiGe或Ge的工序。

技术领域

本公开涉及蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质。

背景技术

近年来，在半导体元件的制造工艺中，进行如下工序：对层叠有硅锗(记为SiGe)层和硅(Si)层的半导体晶圆进行侧面蚀刻，且相对于Si层选择性地蚀刻SiGe层。作为这样的相对于Si层选择性地蚀刻SiGe层的技术，例如，已知有如专利文献1、2中记载的那样的、使用ClF₃气体等含氟气体来进行蚀刻的技术。另外，在锗(Ge)层与Si层共存的半导体晶圆中的Ge层的选择蚀刻中，也能够同样地进行蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2009-510750号公报

专利文献2：日本特开平1-92385号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供如下技术：在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的蚀刻方法具备如下工序：设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至前述基板，相对于前述Si选择性地蚀刻前述SiGe或Ge的工序。

发明的效果

根据本公开，在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge。

附图说明

图1是表示一个实施方式的蚀刻方法的流程图。

图2是表示一个实施方式的蚀刻方法所应用的晶圆的结构例的剖面图。

图3是表示在图2的结构的晶圆中，局部蚀刻SiGe膜的状态的剖面图。

图4是表示在图2的结构的晶圆中，全部蚀刻SiGe膜的状态的剖面图。

图5是用于说明对Si膜的损伤原因进行调査时的样品的结构的图。

图6是表示模拟GeF₄气体与Si的反应过程时的反应过程的反应图解的图。

图7是表示模拟SiF₄气体与Si的反应过程时的反应过程的反应图解的图。

图8是表示对于具有SiGe膜与Si膜的层叠结构部的晶圆，用ClF₃气体蚀刻SiGe膜的样子的示意图。

图9是表示对于具有SiGe膜与Si膜的层叠结构部的晶圆，用ClF₃气体+HF气体蚀刻SiGe膜的样子的示意图。

图10是用于说明对于具有SiGe膜与Si膜的层叠结构部的晶圆，用ClF₃气体+HF气体蚀刻SiGe膜时的Si膜的表面状态的图。

图11是表示用于一个实施方式的蚀刻方法的处理系统的一个例子的概略构成图。

图12是表示用于实施一个实施方式的蚀刻方法的蚀刻装置的剖面图。